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牵引用3300V IGBT芯片均匀性及其对可靠性的影响
引用本文:刘国友,罗海辉,刘可安,黄建伟,张泉. 牵引用3300V IGBT芯片均匀性及其对可靠性的影响[J]. 机车电传动, 2013, 0(2)
作者姓名:刘国友  罗海辉  刘可安  黄建伟  张泉
作者单位:1. 株洲南车时代电气股份有限公司 功率半导体研发中心,英国林肯 LN6 3LF
2. 株洲南车时代电气股份有限公司技术中心,湖南株洲,412001
摘    要:为满足轨道交通领域牵引用3300 V IGBT芯片应具有优良的栅极控制特性、较低的通态压降和较宽的安全工作区的要求,对3300 V IGBT芯片工艺进行了深入研究。在工艺控制和关键工艺改进方面采取措施,全面提升了牵引用3300 V IGBT芯片在栅极特性、电压阻断、导通特性和安全工作区等方面的表现,进而大幅度提高了芯片的可靠性。

关 键 词:高压IGBT  轨道交通  芯片工艺  性能均匀性  可靠性

The Uniformity and Its Impact on Reliability for 3 300 V IGBT Chip in Traction Application
LIU Guo-you , LUO Hai-hui , LIU Ke-an , HUANG Jian-wei , ZHANG Quan. The Uniformity and Its Impact on Reliability for 3 300 V IGBT Chip in Traction Application[J]. Electric Drive For Locomotive, 2013, 0(2)
Authors:LIU Guo-you    LUO Hai-hui    LIU Ke-an    HUANG Jian-wei    ZHANG Quan
Abstract:
Keywords:
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