| 牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发 |
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| 引用本文： | 刘国友,覃荣震,Ian Deviny,黄建伟.牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发[J].机车电传动,2013(2). |
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| 作者姓名： | 刘国友 覃荣震 Ian Deviny 黄建伟 |
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| 作者单位： | 株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心,英国林肯LN6 3LF |
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| 摘 要： | 针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极晶体管 轨道交通 终端结构 台面栅 注入效率 元胞 |
3 300 V IGBT / FRD Chipset Design and Development for Traction Application |
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| LIU Guo-you
,
QIN Rong-zhen
,
Ian Deviny
,
HUANG Jian-wei.3 300 V IGBT / FRD Chipset Design and Development for Traction Application[J].Electric Drive For Locomotive,2013(2). |
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| Authors: | LIU Guo-you QIN Rong-zhen Ian Deviny HUANG Jian-wei |
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