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| 具有优化沟槽HiGT结构的3.3kV/1800 A IGBT及其模块优化设计 | |
| 作者姓名： | Takayuki Kushima Katsunori Azuma Yasuhiro Nemoto Katsua kiSaito Yoshihiko Koike |
| 作者单位： | 日立功率半导体器件株式会社 |
| 摘 要： | 日立公司开发了具有最高电流等级的3.3k V/1800A IGBT模块,其额定电流等级比现有同尺寸、同电压等级常规产品提高了20%。通过采用优化沟槽Hi GT结构,降低了器件功耗,同时优化了模块的电、热性能设计,降低了热阻以及寄生电感。 |
| 关 键 词： | 3.3kV/1800 A IGBT 优化沟槽Hi GT 准交错布局 杂散电感 寄生电感 电极结构 |
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