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溶胶凝胶法制备ZAO薄膜
引用本文:董晓刚,王炜,沈长斌,薛钰芝,孙贤盛.溶胶凝胶法制备ZAO薄膜[J].大连交通大学学报,2006,27(1):79-82.
作者姓名:董晓刚  王炜  沈长斌  薛钰芝  孙贤盛
作者单位:大连交通大学,环境科学与工程学院,辽宁,大连,116028;大连交通大学,环境科学与工程学院,辽宁,大连,116028;大连交通大学,环境科学与工程学院,辽宁,大连,116028;大连交通大学,环境科学与工程学院,辽宁,大连,116028;大连交通大学,环境科学与工程学院,辽宁,大连,116028
摘    要:采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了Al3+离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好.

关 键 词:Sol-Gel  ZnO  Al3+离子掺杂  透明导电薄膜
文章编号:1000-1670(2006)01-0079-04
修稿时间:2005年9月22日

Aluminum-Doped ZnO Transparent Conducting Thin Films by Sol-Gel Method
DONG XIAO-gang,WANG Wei,SHEN Chang-bin,XUE Yu-zhi,SUN Xian-sheng.Aluminum-Doped ZnO Transparent Conducting Thin Films by Sol-Gel Method[J].Journal of Dalian Jiaotong University,2006,27(1):79-82.
Authors:DONG XIAO-gang  WANG Wei  SHEN Chang-bin  XUE Yu-zhi  SUN Xian-sheng
Abstract:
Keywords:Sol-Gel  ZnO
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