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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
HiPak 6.5kV IGBT的开关特性及门极驱动电路对其影响
作者姓名:
Makan Chen
Raffael Schnell
Evgeny Tsyplakov
Arnost Kopta
Joerg Berner
洪鹏
王浩
Sven Klaka
作者单位:
ABB瑞士有限公司半导体部;ABB中国有限公司半导体部
摘 要:
介绍了ABB对Hi Pak 6500V/750A IGBT模块反向恢复特性的研究,首创性地就di/dt对二极管和与之反向并联的IGBT的正、反向恢复特性的影响进行了研究;并分析了di/dt对IGBT模块的影响,可以确认di/dt在其反向恢复过程中起重要作用,即当di/dt过高时,IGBT和二极管芯片会发生损坏,并有可能随后导致变流器的桥臂间短路。文章指出IGBT和门极驱动之间的优化匹配对确保安全工作十分重要,只有这样Hi Pak模块的鲁棒性才能得以完全体现。
关 键 词:
6500 V IGBT
SPT+
反向恢复
门极驱动
di/dt
峰值功率
二类短路
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