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薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性
引用本文:王东兴.薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性[J].大连交通大学学报,2003,24(3):33-36.
作者姓名:王东兴
作者单位:大连铁道学院,电气信息工程分院,辽宁,大连,116028
基金项目:教育部留学回国人员科研启动基金,2000-367,
摘    要:试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构.制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为VDS=3V,VGS=0V时,静态动作电流IDS=1.2×10-6A/mm2,动态小信号响应频率可达到1 000Hz.实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性.

关 键 词:薄膜三极管  酞菁铜  有机半导体  真空蒸镀
文章编号:1000-1670(2003)03-0033-04
修稿时间:2003年6月10日

Preparation and Characteristics of Organic Semiconductor Static Induction Transistor Using Thin Film Al Gate
Abstract:
Keywords:
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