薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性 |
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引用本文: | 王东兴. 薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性[J]. 大连交通大学学报, 2003, 24(3): 33-36 |
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作者姓名: | 王东兴 |
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作者单位: | 大连铁道学院,电气信息工程分院,辽宁,大连,116028 |
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基金项目: | 教育部留学回国人员科研启动基金,2000-367, |
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摘 要: | 试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构.制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为VDS=3V,VGS=0V时,静态动作电流IDS=1.2×10-6A/mm2,动态小信号响应频率可达到1 000Hz.实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性.
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关 键 词: | 薄膜三极管 酞菁铜 有机半导体 真空蒸镀 |
文章编号: | 1000-1670(2003)03-0033-04 |
修稿时间: | 2003-06-10 |
Preparation and Characteristics of Organic Semiconductor Static Induction Transistor Using Thin Film Al Gate |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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