| 离子氮化温度对通道板表面化合物层的影响 |
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| 引用本文： | 赵红利,吴放.离子氮化温度对通道板表面化合物层的影响[J].汽车科技,2004(2):33-35. |
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| 作者姓名： | 赵红利 吴放 |
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| 作者单位： | 1. 湖北汽车工业学,院材料工程系,湖北,十堰,442002
2. 东风汽车公司,专用设备厂,湖北,十堰,442021 |
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| 摘 要： | 通道板离子氮化时化合物层不易得到有效控制,在确定了真空度、介质流量和氮化时间3个参量的条件下,研究了离子氮化温度对通道板表面化合物层深度和组成相的影响,通过工艺试验方法,确定了通道板最适宜的氮化温度,从而较好地保证了对化合物层的要求。
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| 关 键 词： | 离子氮化 通道板 化合物层 |
| 文章编号： | 1005-2550(2004)02-0033-03 |
| 修稿时间： | 2003年10月20 |
The influence of plasma nitriding temperature on compound layer of passage plank |
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| ZHAO Hong-li,WU Fang.The influence of plasma nitriding temperature on compound layer of passage plank[J].Automobile Science and Technology,2004(2):33-35. |
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| Authors: | ZHAO Hong-li WU Fang |
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| Institution: | ZHAO Hong-li1,WU Fang2 |
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| Abstract: | The compound layer of passage plank is difficult to control when plasma nitriding. In this paper, the influence of plasma nitriding temperature on depth and microstructure of compound layer is studied under the condition of certain vacuum degree, medium flux and nitriding time. Technics tests are proceeded to achieve the best nitriding temperature and satisfy the technic request. |
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| Keywords: | plasma nitriding passage plank compound layer |
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