真空灭弧室温升特性仿真分析 |
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引用本文: | 董华军,赵一鉴,时佳,何晨阳.真空灭弧室温升特性仿真分析[J].大连交通大学学报,2023(2):61-64. |
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作者姓名: | 董华军 赵一鉴 时佳 何晨阳 |
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作者单位: | 1. 大连交通大学机械工程学院;2. 辽宁机电职业技术学院自动控制工程系 |
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摘 要: | 研究真空灭弧室的温升特性对于其结构参数的优化和保障其自身的流通能力具有重要意义。用SolidWorks软件建立真空灭弧室的导电回路3D模型并对其结构进行简化,采用ANSYS Workbench软件对真空灭弧室的仿真模型进行涡流场-温度场耦合分析,对额定电流状态下导电回路的温升进行仿真计算。结果表明:增大触头片接触点直径、增大杯壁厚度、减小杯壁螺旋开槽长度和增大导电杆的半径等尺寸参数对真空灭弧室的温升均有所改善。对优化后的模型按照触头材料为CuCr50和CuCr10分别对其进行仿真,结果发现,CuCr10的触头片材料温升远低于CuCr50时的温升,且CuCr10能承受更大的电流,因此可以考虑通过改变触头材料来实现优化真空灭弧室的温升特性。
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关 键 词: | 真空灭弧室 涡流场 温度场 结构优化 |
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