全银烧结双面散热SiC模块的工艺设计 |
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作者单位: | 湖南国芯半导体科技有限公司,湖南株洲412001;湖南省功率半导体创新中心,湖南株洲 412001;武汉恩硕科技有限公司,湖北武汉430000 |
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基金项目: | 功率半导体国家制造业创新中心建设项目 |
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摘 要: | 针对SiC芯片高工作结温、高功率密度和低杂散电感的封装技术要求,设计了一款双面散热SiC模块,仿真其杂散电感和均流性能,模块具有较低电感和较好的均流性。开发了全银烧结工艺和工艺流程,并试制了科研样品。通过动静态测试,在漏源极电流I_d为350 A和比导通电阻R_(DS-on)为3.95 mΩ下,计算出包含测试电路的总电感L_s为11.2 nH,模块具有较好的静动态性能。试验表明,全银烧结双面散热SiC模块具有优良的动静态性能,具有较大的应用前景。
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关 键 词: | 全银烧结 双面散热 SiC模块 仿真 |
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