首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

Ta:SnO2薄膜的制备与性能研究
引用本文:秦国强,封雅宏,张光磊,杨亮亮,张娟娟,马岳峰.Ta:SnO2薄膜的制备与性能研究[J].石家庄铁道学院学报,2013,26(2).
作者姓名:秦国强  封雅宏  张光磊  杨亮亮  张娟娟  马岳峰
作者单位:1. 石家庄铁道大学材料科学与工程学院,河北石家庄,050043
2. 石家庄市张石高速公路筹建处,河北石家庄,050000
基金项目:河北省自然科学基金,石家庄市科技支撑项目,石家庄铁道大学科研启动项目
摘    要:SnO2作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质,例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性,因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域.采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Ta掺杂SnO2透明导电薄膜,其中Ta含量在8atom.%左右.Ta:SnO2薄膜的表面形貌较平整,但由于局部应力使薄膜出现了细小的断裂.Ta:SnO2薄膜为金红石结构,结晶程度较高,由于Ta5+、Sn4离子半径接近,Ta原子溶入SnO2的晶格中置换Sn原子位置形成了稳定均一的固溶体结构,因此没有第二相出现,但是其晶格常数略有变化.

关 键 词:溶胶凝胶法  Ta掺杂SnO2  光学和电子性质

Preparation and Properties of Ta Doped SnO2 Film
Qin Guoqiang , Feng Yahong , Zhang Guanglei , Yang Liangliang , Zhang Juanjuan , Ma Yuefeng.Preparation and Properties of Ta Doped SnO2 Film[J].Journal of Shijiazhuang Railway Institute,2013,26(2).
Authors:Qin Guoqiang  Feng Yahong  Zhang Guanglei  Yang Liangliang  Zhang Juanjuan  Ma Yuefeng
Abstract:
Keywords:sol-gel method  Ta doped SnO2 film  optical and electrical properties
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号