| 离子注入对CuxS薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 田宏,屈晓声. 离子注入对CuxS薄膜特性的影响[J]. 大连交通大学学报, 2000, 21(4): 73-75 |
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| 作者姓名： | 田宏 屈晓声 |
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| 作者单位： | 1. 大连铁道学院电气信息工程分院，辽宁大连 116028
2. 华大学电子工程系，北京 100084 |
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| 摘 要： | 讨论了薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响，铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上．实验发现氮离子束注入引起了薄膜中的铜与硫成分的改变，很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大．
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| 关 键 词： | CuxS薄膜 离子注入 相变 CuxS thin films ion implantation phase transition |
| 文章编号： | 1000-1670(2000)04-0073-03 |
| 修稿时间： | 2000-06-19 |
The Influence of CuxS Thin Film by Ion Beam Implantation |
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| TIAN Hong,QU Xiao-sheng. The Influence of CuxS Thin Film by Ion Beam Implantation[J]. Journal of Dalian Jiaotong University, 2000, 21(4): 73-75 |
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| Authors: | TIAN Hong QU Xiao-sheng |
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| Abstract: | The implantation technique has been introduced to CuxS thin films prepared by twiceevaporation. Nitrogen ion beam causes a variation of copper and sulfur composition in the CuxSfilms. It shows that the ratio of copper to sulfur in the sample is enhanced with intensionentering the CuxS films. The comparison of optical transmission between original and implanted sampledemonstrates a new phase to emerge. |
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| Keywords: | CuxS thin films ion implantation phase transition |
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