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溶胶凝胶法制备ZAO薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的A l3 离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了A l3 离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好. 相似文献
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采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了Al3+离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好. 相似文献
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用溶胶-凝胶法制备了SnO2薄膜,介绍了制膜机理和实验过程,并对制成的样品进行了SEM及XRD分析表征,对其相关的电性能也进行了初步研究,结果认为:用此种方法制得的薄膜致密、连续、光滑,具有很好的电性能,表明了这一领域所进行的研究具有非常广阔的研究前景,为其在光电领域的应用奠定了坚实的基础. 相似文献
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