溶胶凝胶法制备ZAO薄膜

采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的A l3 离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了A l3 离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好.     

Sol-Gel提拉法制备ZAO薄膜及其光电性能

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)浸渍提拉法(基于组装的小型提拉装置)在普通玻璃片上制备出ZnO∶Al(ZAO)薄膜,利用扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、数字式四探针测试仪等检测手段分别对其进行了分析比较.结果表明:Al3+浓度为1.0%的ZAO薄膜表面最为致密均匀;随着退火温度的提高,薄膜的晶体平均粒径明显增大,电阻率逐渐减小;不同掺Al量的ZAO薄膜在可见光区的平均透光率均在70%以上,当Al3+浓度为1.5%时,550℃退火2h,电阻率最小,为5.9×10-2Ω*cm.     

Al 掺杂 T-ZnO 晶须的光致发光及场发射性能

用丝网印刷法将Al掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373~383 nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510~540 nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5 mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阈值电场分别达到0.74 V/μm和2.6 V/μm,场增强因子值为30249.     

Sol-Gel提拉法制备ZAO薄膜及其光电性能

采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）浸渍提拉法（基于组装的小型提拉装置）在普通玻璃片上制备出ZnO：Al（ZAO）薄膜,利用扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、数字式四探针测试仪等检测手段分别对其进行了分析比较。结果表明：Al^3＋浓度为1．0％的ZAO薄膜表面最为致密均匀;随着退火温度的提高,薄膜的晶体平均粒径明显增大,电阻率逐渐减小;不同掺Al量的ZAO薄膜在可见光区的平均透光率均在70％以上,当Al^3＋浓度为1．5％时,550℃退火2h,电阻率最小,为5．9×10^-2Ω·cm。     

Er~(3+)及Er~(3+)/Yb~(3+)掺杂YBa_3B_9O_(18)材料的发光性能

通过高温固相烧结法制备了Er3+掺杂以及Er3+/Yb3+共掺杂YBa3B9O18荧光粉.X射线衍射结果表明,Er3+/Yb3+的掺杂并没有改变基质的六方结构.应用325 nm激光激发Er3+掺杂YBa3B9O18,观察到了Er3+离子的特征发射峰,证明了Er3+离子与基质间的能量传递.应用980 nm激光分别激发Er3+掺杂以及Er3+/Yb3+共掺杂YBa3B9O18荧光粉,观测到了Er3+离子的上转换过程,该过程可通过能级图进行解释.实验结果表明Yb3+对Er3+的上转换发光有敏化作用.     

退火温度对溶胶-凝胶法制备（Na,Mg）：ZnO薄膜特性的影响

利用溶胶-凝胶法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Na,Mg):ZnO薄膜.重点研究了退火温度对薄膜结构性质的影响.扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱表明退火温度过高或过低都不利于薄膜良好表面形貌的形成及c轴择优取向生长.在一定范围内退火温度的升高,会使薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜表面形貌及c轴择优取向性得到改善,560℃为实验条件下的最佳退火温度.样品的荧光光致发光(PL)谱表明经560℃退火后的(Na,Mg):ZnO薄膜具有很少的缺陷及较高的结晶质量,是良好的紫外发光材料.     

Fe掺杂TiO2纳米粉体制备及光催化性能研究

为了探究煅烧温度和Fe离子掺杂浓度对TiO2纳米粉体晶体结构和光催化性能的影响,以TiCl4、NH4 OH、Fe(NO3)3·9H2 O为原料,采用共沉淀法成功制备了Fe掺杂TiO2纳米粒子,并通过XRD、UV-Vis等测试手段对样品进行了表征.结果表明:(1)TiO2纳米粉体的晶粒尺寸随煅烧温度升高而增大;(2)粉体的光催化效率随煅烧温度升高先增加后降低,450℃时达到最佳值,此时粉体为单一锐钛矿晶体结构;(3)Fe掺杂可抑制金红石型TiO2的形成,掺杂浓度应控制在合适范围内,当Fe掺杂浓度为0.1％时,TiO2光催化效率最高.     

磁控溅射掺铝氧化锌薄膜制备及其光电性能分析

通过改进AZO薄膜的制备工艺,提高了AZO薄膜的光学与电学性能、完善了制备工艺,克服了成膜温度较高等不足,成功制备出性能优良的AZO薄膜.通过对新制备的AZO薄膜样品进行XRD和SEM测试,深入分析了影响薄膜结构和电性能的物理因素,获得了最佳制备工艺条件.在室温34℃、溅射功率1 000 W、溅射气压0.052 Pa、溅射时间87 min条件下,溅射产额最高,离子能量最高,可形成性能最优的AZO薄膜结构和形貌.     

新型聚硅酸氯化铝铁絮凝剂制备与性能

以水玻璃、氯化铝、氯化铁为原料制备新型无机絮凝剂--聚硅酸氯化铝铁,考察聚硅酸熟化时间、熟化温度、熟化pH、Al/Fe摩尔比等参数的影响,确定了最佳制备条件.同时,以生活污水为处理对象考察了pH、投药量对絮凝性能的影响.研究结果表明:当硅酸钠浓度为0.97 mol/L,Si(Al+Fe)为2:(2+1)、Al/Fe为2:1～4:1时,熟化温度30～40℃、pH为5～6、熟化时间20～30 min的条件下,制备的聚硅酸氯化铝铁对于pH为6～11的生活污水的混凝处理效果最佳.采用相同投加量时,絮凝效果明显优于传统絮凝剂.     

电解质CeO2基薄膜伏安特性的研究

采用溶胶-凝胶法制备了CeO2基电解质薄膜，测量了CeO2基电解质薄膜的伏安特性，发现在CeO2基电解质薄膜中存在VCNR现象．研究了不同掺杂浓度、不同层数和不同掺杂离子对CeO2基电解质薄膜VCNR特性的影响．