用光电压谱研究GeSi／Si量子阱的带间光跃迁

在１８－３００Ｋ温度范围内，测量了ｘ＝０．２和０．５两种不同结构的ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变层多量子阱的光电压谱，观测到ＨＨ１，ＬＨ１，ＨＨ２等激子光吸收跃迁信号以及ＴＯ声子辅助ＨＨ１激子光吸收跃迁信号。低温下的光电压谱反映了量子阱台阶式的状态密度分布。     

（ZnCd）Se／ZnSe多量子阱光电压特性

在温度１８￣３００Ｋ范围内测量了以ＧａＡｓ为衬底的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层多量子阱的光电压谱。发现（ＺｎＣｄ）Ｓｅ／ＺｎＳｅ量子阱具有显著的量子限制效应；激子束缚能大，直至室温仍然能观测到清晰的激子跃迁峰。实验结果与理论计算结果基本一致。