水分子在Sn02（110）表面吸附特性的密度泛函计算

根据密度泛函理论,采用广义密度近似,建立了水分子在SnO2（110）面不同吸附位的周期平板模型,研究了水分子在SnO2（110）表面的吸附特性．结果表明：发生在Sn5C吸附位的水分子平行于表面和水分子以H原子向上垂直于表面的两种吸附方式为稳定吸附．对两种稳定吸附方式下电子态密度及电荷转移进行了分析,发现两种吸附方式均使体系费米能向高能量方向移动,同时两种方式下水分子向SnO2表面提供的电子数分别为0．09e和0．08e．提出水分子与CO分子对表面同一吸附点存在着竞争吸附,是湿度影响CO气体传感器电导灵敏度的主要原因．     

基于实验结果的有机静电感应三极管动态特性

根据采用有机半导体材料酞菁铜制作的有机静电感应三极管的测试结果，建立适当的动态小信号模型，对其动态特性进行仿真计算，得出器件的截止频率．通过对截止频率的分析，提出改善有机器件动态特性的方法．     

SnO2(110)表面特性的密度泛函计算

根据密度泛函理论,采用广义密度近似和总体能量平面波赝势方法,计算了SnO2体结构,氧化（110）面,还原（110）面的结构及电子特性．计算结果发现,SnO2（110）表面结构发生了明显变形,还原（110）面驰豫情况类似氧化（110）面,氧空缺未对表面结构产生明显影响．氧化（110）面和还原（110）面电子态密度同体材料有较大不同,SnO2（110）的电导行为主要受氧空缺在禁带中引入的表面电子态的控制．     

有机静电感应三极管（OSIT）静态工作特性的解析

在分析SIT器件电流一电压特性的理论基础上，对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试，通过对测试曲线进行数据拟合与解析，得出一系列OSIT在不同偏压条件下，电流-电压的表达式．数据解析结果表明，有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符。     

基于实验结果的有机静电感应三极管动态特性

根据采用有机半导体材料酞菁铜制作的有机静电感应三极管的测试结果,建立适当的动态小信号模型,对其动态特性进行仿真计算,得出器件的截止频率.通过对截止频率的分析,提出改善有机器件动态特性的方法.     

一种基于超介质的超宽带天线设计

提出一种基于超介质加载的超宽带天线.超介质结构由提供负介电常数的电容加载带(CLS)和提供负磁导率的开口谐振环(SRR)共同构成.针对原始窄带微带天线的特性,使用电磁仿真软件HFSS对超介质进行结构设计,使其能够在超宽带频带内产生均匀分布的多谐振点.对超介质进行电磁参数提取,其同时实现双负特性.研究超介质加载个数对展宽天线带宽的影响,确定加载个数.对天线进行辐射贴片开槽、缺陷地处理,实现多频带融合.最终设计的超宽带天线阻抗带宽达到2.89～12.07 GHz,相对带宽达到127.72％,是原始天线的54倍.对天线进行制作,实测结果与仿真结果基本吻合.     

Design of New Long-Distance Intelligent Watt-Hour Meter

The design scheme for a new kind of long-distance intelligent watt-hour meter is presented. In the system, the control computer communicates with the bank＇s host computer by the X. 25 network; the built-in embeded secure access module （ESAM） can verify data by commutation with the intelligent nodes that enhance the security of the data. IC TSS721 is adopted to collect data remotely, and the CPU IC card is used to ensure the the bargaining security and reliability. In addition, the software of the system is introduced.     

基于分布式算法的FIR数字滤波器的FPGA实现

根据基于查找表结构的分布式算法的基本原理,提出了基于分布式算法的有限脉冲响应数字滤波器（FIR）的实现方法．用FPGA设计并实现了一个32阶低通有限脉冲响应数字滤波器．利用有限脉冲响应数字滤波器线性相位的特性减小了电路规模,采用分割查找表的方法减小了存储空间,采用并行分布式算法结构和流水线技术提高了滤波器的速度．对滤波器性能进行了分析．     

酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析

利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据,分析了酞菁铜/铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性.利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式,对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析,分析了VGS影响OSIT特性的原因.     

短沟道MOSFET器件特性的理论研究

通过求解泊松方程，从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性，给出了在短沟道下，描述上述三个参量的数学表达式，为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据。