磁通量子化与Dirac条件

借助于波函数单值条件的讨论，从而得出磁通量子化结论，并且得出Dirac量子化条件。     

FeSiAl合金磁性薄膜的制备与研究

用X-射线衍射，扫描电子显微镜研究了直流磁控溅射法制备的FeSiAl合金薄膜。用振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能。主要研究了热处理对薄膜的结构和磁性能的影响。结果表明随着退火温度的升高，薄膜的X衍射峰(220)逐步尖锐化，矫顽力不断减小，磁性能有了较大的提高。     

第Ⅱ类超导体孤立磁通线的能量计算

应用Ｍａｘｗｅｌｌ方程,分析了超导体的电磁特性,并计算Ⅱ类超导体孤立磁通线的能量。     

关于磁单极子和电荷量子化条件的探讨

应用量子理论研究了辜极子的存在，从而得到电荷量子化这一重要特性。     

《唐故左街僧录……》

正~~     

半导体超晶格及其量子阱的原理

应用算符的方法及通过朗道能级的分析,得出了二维电子气的能级特性,由此通过态密度,简并度的讨论,研究了半导体超晶格量子阱的原理及其广泛的应用。     

BIM在道桥项目中的应用

目前道桥项目管理过程中仍然存在一定问题,需要不停地进行优化及调整。BIM技术可以作为一大技术手段,发挥其独有的功能优势。通过BIM技术将二维图纸转换成三维模型,进行方案可视化交底、交通仿真、专业协调等分析,优化设计成果,减少安全隐患。通过BIM施工项目管理平台,实现职责分工明确、文档集中管理、进度实时查看、现场问题及时追踪与解决。BIM技术可以提前发现道桥项目中存在的问题,提高项目整体的推进效率,助力道桥项目的实施管理。     

电子器件氧化层ESD介质击穿物理模型研究

提出了电子器件门电路硅氧化层介质击穿的物理模型。并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系，解释了介质击穿电压与ESD（静电放电，electrostatic discharge)脉冲的尺寸效应。     

电场力、磁场力、两种计算方法的讨论

应用两种方法讨论了电、磁场力的计算问题，第一种方法从Maxwell方程出发，建立场的动力学方程，引入电磁场张力张量及应力关系，从而计算电、磁场的应力；第二种方法从电、磁场力的公式及场的叠加原理出发，计算电、磁场力。