|
|||||
|
|
| 全碳反应烧结碳化硅的制备 | |
| 引用本文： | 刘小磐,赵修建,徐学文,武七德.全碳反应烧结碳化硅的制备[J].湖北汽车工业学院学报,2003,17(2):28-30. |
| 作者姓名： | 刘小磐 赵修建 徐学文 武七德 |
| 作者单位： | 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070 |
| 基金项目： | 国家"九五"攻关资助项目(96-A10-07) |
| 摘 要： | 研究了用PCRBSC方法制备SiC,观察发现用该方法制备的SiC晶粒中存在层状结构。并且由于没预掺α-SiC,反应烧结速度快于RBSC方法,且生成的SiC均为β相,与RBSC方法相比,生成的SiC晶粒更加细小均匀。 |
| 关 键 词： | 反应烧结 层状结构 SiC |
| 文章编号： | 1008-5483(2003)02-0028-03 |
| 修稿时间： | 2003年3月7日 |
The Manufacture of Pure Carbide Reaction Bond SIC |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | SiC |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |