SiC CMOS OPAMP高温模型和Hspice仿真

为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)OPAMP(operationalamplifier),对PMOST(P-type metal-oxide-semiconductor transistor)输入标准6H-SiC CMOS两级运算放大器的高温等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice仿真.仿真结果表明,在SiC MOS器件中,因受SiC/SiO2界面导带附近高界面态密度的影响,阈值电压随温度的变化并不像Si MOS器件那样呈线性变化,其沟道有效迁移率也并不与温度的-1.5次方成正比.此外,SiC MOS器件的沟道迁移率低,导致其跨导比相同尺寸下的Si器件的低,所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si OPAMP.虽然标准的OPAMP单元对Si器件来说具有温度稳定性,但对SiC基材料来说需进一步修正.     

SiCp／AlSi7Mg1复合材料的摩擦和磨损特性

研究了在№ 20机油摩擦条件下,采用环状试验块、AlSi7Mg1、10SiCp／AISi7Mg1和25％SiCp／A1Si7Mg1的复合材料滑动摩擦行为．试验结果表明,复合材料无论在低载荷或在高载荷时都比没增强基体具有优异的耐磨性能,两种体积率复合材料的磨损速度是其基体的1／8．应用SEM、EDXA观察摩擦表面以研究其机理．     

SiC半导体材料的特性及其在舰船上的应用

SiC半导体材料具有满足舰船电力电子系统要求的高电压、高频和高温工作的优良特性。本文介绍了它的特性以及在舰船上的应用。     

大功率半导体器件的发展与展望

回顾了现代电力电子器件的发展历史,涉及的器件包括晶闸管、GTO、IGCT、MTO、IGBT、各种改进型的IGBT以及CoolMOS。叙述了采用新型材料的电力电子器件的发展和前景,应用碳化硅和氮化镓材料的功率器件正在迅速地发展,一些器件有望在不远的将来实现商品化,进入电力电子技术市场。     

一种低压船用固态直流断路器研究

本文介绍了一种基于宽禁带器件SiC JFET的船用固态直流断路器的拓扑和工作原理.结合建模仿真与实际工况,研究了主开关器件、缓冲电路、限压耗能电路等主要元件的参数设计方法.研制了一种375 V固态直流断路器原理样机,针对短路故障进行了开断试验,并给出了试验波形.结果表明该固态直流断路器具有快速关断短路电流的能力.     

全碳反应烧结碳化硅的制备

研究了用PCRBSC方法制备SiC,观察发现用该方法制备的SiC晶粒中存在层状结构。并且由于没预掺α-SiC,反应烧结速度快于RBSC方法,且生成的SiC均为β相,与RBSC方法相比,生成的SiC晶粒更加细小均匀。     

主断路器非线性电阻改进构想

介绍了主断路器非线性电阻的作用原理及运用现状,从选材和制造工艺等方面对非线性电阻的改进提出了设想,并分析了其优越性。     

陶瓷粒子在船机零件上的运用

通过等离子喷射技术将SiC-AlSi复合涂层涂于船用发电柴油机活塞表面,得到厚度约350μm的涂层。在这基础上,进行了摩擦试验,用光学显微镜、扫描电镜进行了结构观察,用XRD、EDX对涂层进行分析并测量涂层的硬度值,发现SiC任意分布在涂层中,涂层具有多孔性,涂层的硬度和耐磨性取决于气孔、氧化物、半熔化和未熔化颗粒的数量。     

3300 V全SiC MOSFET功率器件开关特性研究

为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温、回路杂散电感等方面探寻了开关特性变化的规律;最后,在样机上进行了验证。结果表明,文章中所述优化开关特性的方法对全SiC逆变器的工程应用有一定的指导意义。     

铝合金表面激光熔覆SiC颗粒增强复合耐磨涂层研究

采用激光熔覆技术在铝合金表面制备SiC颗粒增强的N i基合金复合涂层,其中SiC粉末采用预置和同步送粉两种方法。试验结果表明,在激光功率P=2kW、光斑直径d=3m m、扫描速度v=3m m s/工艺条件下,预置SiC粉末厚度1m m或送粉量m p=8gm/in,可以获得表面平、无裂和界面结合较好的熔覆层。测试了熔覆层的硬度和滑动摩擦磨损性能,分析了熔覆层的硬化机理,熔覆层中存在颗粒强化、固溶强化等强化作用,熔覆层的显微硬度达到900～1100H V,其耐磨性能比铝合金显著提高。