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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 171 毫秒
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IMPROVEMENTOFFLUORIMETRICANDUV-VISIBLESPECTROPHOTOMETRICASSAYMETHODSFORMEASURINGNITRICOXIDEAND/OREDRFINBLOODYangFan;LiuPn;(Bi?..  相似文献   

2.
EFFECTSOFHYPOPHYSECTOMYANDGROWTHHORMONEREPLACEMENTONHYPOTHALAMICSOMATOSTATININTHEOLDRATZhangZhangjin;RenHuimin;HuHaitao;LingF...  相似文献   

3.
OBSERVATIONOFTHEEFFECTOFS-(-)USNICACIDSODIUMONTRICHOMONASVAGINALISBYTRANSMISSIONELECTRONMICROSCOPEWuJie;ZhangMinru;DingDongni...  相似文献   

4.
EFFECTOFLIGUSTRAZINEONHEMODYNAMICSOFMESENTERICCAPILLARYINHEMORRHAGICSHOCKINRABBITSYueYili;ChangLigong;ZhouHongwei;(Department...  相似文献   

5.
EFFECTSOFSALVIAMILTIORRHIZABUNGE(SMB)ONLIPIDPEROXIDATIONANDPLASMAMEMBRANEFLUIDITYOFCULTUREDHUMANFETALHEPATOCYTESINJUREDBYCARB...  相似文献   

6.
EFFECTSOFCEREALSFROMKASHIN-BECKDISEASEENDEMICAREAONFIBRILLOGENESISINVITROOFCARTILAGECOLLAGENTYPEⅡINRATSFuZhihou;ZhangShiyuan(...  相似文献   

7.
OPIOIDSMODULATENMDA-EVOKEDRESPONSESOFNEURONSINTHESUPERFICIALANDTHEDEEPERDORSALHORNOFTHEMEDULLAK.M.Zhang;WangXiaomin;A.M.Peter...  相似文献   

8.
ANITERATIVEMETHODFORDYNAMICCONDENSATIONOFFINITEELEMENTMODELS,PARTI:BASICMETHODQuZuqing(瞿祖清)FuZhifang(傅志方)(NationalKeyLaborato...  相似文献   

9.
TUMORNECROSISFACTOR-ALPHASERUMLEVELSANDINVITROPRODUCTIONINPATIENTSWITHHUMANIMMUNODEFICIENCYVIRUS(HIV)INFECTIONWangYili(王一理);S...  相似文献   

10.
EFFECTSOFMANGANESEONNEUROMUSCULARJUNCTIONTRANSMISSIONCaoYongxiao;CheXiping;WangChangjiangLiWeihong(DepartmentofPharmacology,F...  相似文献   

11.
概述了基于电控AMT直流电机H桥电路的控制方式以及功率场效应管的特点,并根据该控制方式和驱动电路的要求设计了基于MC33035和分立元件的驱动电路,对分立元件电路进行了调试。  相似文献   

12.
对柴油机电控中压共轨系统高速大流量电磁阀驱动电路进行了设计,实现了用一路信号控制电路的高压端和低压端;讨论了场效应管的并联运用和运行保护技术;采用自举法,解决了高低压驱动电路中高压端源极电位的浮动问题;通过试验和仿真,分析了驱动电路中的关键元件对电路性能的影响,对电路元件进行了优化,提高了驱动电路工作的可靠性.  相似文献   

13.
通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性,给出了在短沟道下,描述上述三个参量的数学表达式,为短沟道MOSFET器件的结构设计提供了理论依据。  相似文献   

14.
逻辑控制模块(LogicControlModule,LCM)利用无触点的控制思想,能够克服继电器控制系统所存在的弊端,完全实现原有继电器系统的功能.本文针对SS3型电力机车逻辑控制模块的输出电路功率MOSFET经常烧坏的问题提出了设计和改进方案,并应用MATLAB仿真及实验论证.为SS3型电力机车无触点改造项目的研究,提供有利的经验和参考价值.  相似文献   

15.
采用MOSFET构成一对双向导电型电力电子开关,对交流电进行斩波控制,形成交流Buck—Boost电路。分析了该电路负载电压和电源电压之间的数量关系,介绍了一种适合本电路的电子开关系统。  相似文献   

16.
采用互补型功率MOSFET组成的三相六状态的逆变器电路对逆变器主回路及其驱动电路进行了改进。驱动电路中分别使用独立电源供电的光电耦合器实现功率MOSFET的通用驱动方法,大大简化了电路的结构。根据样机中转子传感器的安装位置严格 推导出了位置传感器输出信号与逆变器驱动信号之间的逻辑关系,并以简单、可靠、经济的方法实现了这一电路。  相似文献   

17.
步进电机具有惯量低、定位精度高、无累积误差、控制简单等特点,电机驱动系统有基于L297、TA8435等芯片的设计方案,这些驱动系统单相驱动电流一般为2A左右,无法驱动更大功率步进电机。本文介绍了基于东芝公司TB6560芯片步进电机驱动系统设计方案,该芯片功耗低、内部集成双全桥MOSFET驱动;最高耐压可达40V,单相输出最大电流为3.5A(峰值);具有整步、1/2、1/8、1/16等细分设置;芯片内置温度保护,温度大于150℃时自动切断所有输出;具有过流保护功能。  相似文献   

18.
Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation (CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters. With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from 130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results.  相似文献   

19.
通过将功率MOSFET开关电压波形等效成干扰电压源,再考虑电感器分布电容建立差模干扰回路,从而提出了建立变流器差模干扰的模型电路的方法。在此基础上,分析了干扰源和干扰回路阻抗的频域特性。并考虑实际测试时LISN的影响,得到了干扰测试端的频域特性。对电感器不同寄生电容,干扰源特性等给差模干扰带来的影响进行了分析,得到了其频谱特性。最后,用一个实际的BOOST电路作为对象,比较了模型仿真和测试结果,证明了模型建立的有效性。  相似文献   

20.
在建立了串联半桥式场效应晶体管弧焊逆变器主回路工作过程数学模型的基础上,讨论了电路主要参数对逆变器工作过程及其可靠性的影响,指出了弧焊逆变器设计中应注意的问题。  相似文献   

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