硝酸银生产工艺改进研究及效果

改进了硝酸银生产工艺中的除杂、过滤和蒸发环节,通过试验确定了新的工艺参数,改进后大大提高了生产效率和产能,减小了劳动量、银损耗,质量更加稳定。     

大电流无铜体系银电解过程影响研究

针对传统银电解技术能耗高、效率低、铜离子影响大等缺点，以硝酸、硝酸钾、自制硝酸银为电解液成分，以自制可控含杂银锭为阳极银板、钛板为阴极板，在大电流、无铜体系下采用电化学技术制备了高纯度电解银粉，考察了电解液金属离子含量、电解液pH值、电解液温度、电解电流等因素的影响。实验结果表明，当槽电压为5 V、电解周期≥24 h、电流密度>600 A/m²、电解液pH<2、Ag⁺浓度>150g/L、电解液再循环温度为25～36℃时，本方法制备的高纯度电解银粉优于国标IC-Ag 99.99%要求。     

某型电视制导光学舱镜头杂光分析

以某型电视制导光学舱镜头产生杂光现象为着手点,运用LightTools建立仿真模型,对杂光系数进行仿真分析,并根据分析结果提出了相应的改进措施,改进后经过试验,其杂光对成像质量的影响得到了很大的改善,验证了文中所提出的抑制杂光措施的可行性.     

TN系统杂散电流的产生机理及其危害研究

配电系统的工作电流从不期望的回路返回电源时会产生杂散电流。以常用的单电源TN—S配电系统为分析对象,从电源、线路、负载三个方面分析了电路参数不平衡产生杂散电流的机理。分析结果表明,电路中任意参数的不平衡将造成中性点电位漂移,是导致TN配电系统中产生杂散电流的根本原因,并带来电磁干扰、电化学腐蚀等一系列问题;合理地设置TN配电系统的工作接地与重复接地能够有效防止杂散电流对信息设备的干扰。而改用IT系统配电方式则可以从根本上减小甚至消除杂散电流。本文提出基于MATLAB的杂散电流电路模型,对系统杂散电流进行仿真分析,验证了理论推导。     

雷达杂散发射对邻舰雷达的电磁干扰

研究雷达和干扰机带外杂散的频谱分布和信号强度,并对邻舰雷达受到干扰的程度进行预测,给出了雷达的带外杂散和互扰方程。从仿真结果看,带外杂散对邻舰雷达的电磁干扰影响较大,特别是谐波干扰的影响。     

国产槲寄生多糖提取纯化工艺的研究

以国产槲寄生为原料,研究了提取温度、料液比、提取时间和提取次数等因素对槲寄生多糖提取率的影响,并优化了槲寄生多糖中脱蛋白、脱色及醇沉技术.研究结果表明:提取温度95℃,料液比1∶26,提取时间3 h,可获得最佳的多糖提取率4.08%;之后对槲寄生粗多糖采用三氯乙酸法去除杂蛋白、活性炭法脱色,经80%乙醇沉淀,干燥后得槲寄生多糖产品.经紫外和红外光谱分析,国产精制槲寄生多糖不含蛋白和核酸,主要是吡喃多糖.     

异步电动机杂散损耗的测定和确认

杂散损耗是三相异步电动机的"五大损耗"之一,它是用间接法测定电机效率时未包括在另外4种损耗之内的其他各种损耗之和. 杂散损耗测定包括实测基波杂散损耗和谐波杂散损耗两部分,它是用间接法测定电动机效率的一个重要试验项目.用实测法求得的杂散损耗值,可以帮助一线工作人员改进和提高电机性能. 实测高频杂散损耗的方法较多,下面以笔者在工作中采用的分析确认方法进行阐述.     

马氏体中Fe-C-Me晶胞原子杂化状态的确定

以一元合金马氏体为研究对象,应用原子状态判定因子W来确定Fe-C-Me晶胞中各原子的杂化状态。分析结果表明:Fe-C-Me晶胞中FeⅡ、FeⅢ原子的杂化状态因Me原子的作用与Fe-C晶胞中的杂化状态相比发生了改变,不同的Me原子使FeⅡ、FeⅢ原子的杂化状态发生改变的程度不同。在Fe-C-Cr晶胞中,FeⅡ、FeⅢ、Cr原子的杂化状态分别为A14、A13和A14(或A15);在Fe-C-W晶胞中,FeⅡ、FeⅢ、W原子的杂化状态分别为A13、A11和A4(或A5);在Fe-C-Si晶胞中,FeⅡ、FeⅢ、Si原子的杂化状态分别为A12、A11和A2(或A6);而在Fe-C-Mn晶胞中,FeⅡ、FeⅢ、Mn原子的杂化状态则分别为A12、A11和A1(A2或A3)。     

球载雷达的杂波分析

球载雷达是地面雷达的延伸,由于雷达平台的升高并且采用下视工作,地杂波强度较大.同时雷达平台在高空会有慢速飘动,将引起杂波谱中心偏移和杂波谱展宽.针对球载雷达工作的特点,分析了雷达在飘动状态下的杂波谱,简要介绍了一种利用电子式DPCA技术抑制杂波的方法.     

3种用于绞吸船杂物集中区施工的防杂装置

针对绞吸船施工杂物集中区的防杂装置选择问题,从防杂装置的结构设计、适用条件及施工工艺参数方面进行研究,根据杂物的种类、分布区域特点、尺寸对防杂装置的结构进行详细设计,并通过对3种防杂装置施工参数、生产效能的统计,得出其适用范围.结果表明,在绞吸船在施工杂物集中区时,选择合理的防杂装置能减小杂物对船舶施工的影响,提高工程...     

IC封装导电银胶用片状银粉的研制

先通过液相化学还原法制备原始银粉,再利用机械球磨法制得片状银粉,对银粉的形貌、粒度分布、粉体密度、比表面积、水分灰分进行表征,研究原始粉制备工艺、球磨工艺对片状银粉形貌尺寸、粒度分布及密度的影响。结果表明,以分散性好及平均粒径约3μm的球形银粉为原始银粉、无水乙醇为介质,2 mm尺寸规格的氧化锆球为磨球,球磨时间为35 h,机械球磨法制得片状化程度高、粒径均匀、平均粒径小于7μm的片状银粉。将片状银粉用环氧树脂体系配制成IC封装导电银胶,测试导电胶固化前的物性参数、固化片的特性、固化粘接特性及环境测试,并常温下观察是否分层,均达到了应用指标要求。     

银纳米线的制备

透明导体是许多电子器件的核心,银纳米线是最适合用作透明导体的材料。随着手机触摸屏的广泛应用和太阳能产业的发展,对银纳米线需求量也越来越大。目前,有多种多样的方法合成银纳米线。本文综述了当前银纳米线的应用及银纳米线制备技术及其优缺点。并展望了未来工业化合成银纳米线的采用的方法。     

银源浓度和包覆剂对纳米银线线径的影响

纳米银线因其具有良好的导电性和优异的光学性能,是传统导电材料氧化铟锡(ITO)的理想替代品.为了降低纳米银线的直径并提高均一性,采用多元醇法制备纳米银线,分别考察了形核控制剂浓度、反应物浓度和包覆剂种类对纳米银线生长过程的影响.结果表明,在AgNO3浓度为25 mmol/L,保持Cl-浓度为300μmol/L的基础上,添加10μmol/L的Fe3+时,纳米银线平均线径为53.2 nm,线径均一.此外,单独使用长链PVP作为包覆剂时,反应产物中的颗粒、短棒等杂质最少.     

多孔AgO电极的研究

本文研究了在Ag粉中添加适量发孔剂,加压成型后经加热分解并化成而得到多孔AgO电极,试验结果表明添加醋酸银使AgO电极中形成了很多有效的通孔,提高了电极的孔隙率和比表面积,使活性物质利用率提高了4%~5%,提高了电池性能。     

AgO的制备及影响因素分析

采用液相沉淀法制备AgO粉末,对其影响因素的机理和规律进行了分析,并利用XRD、SEM等测试手段对制备的AgO粉末进行了表征.研究结果表明,采用液相沉淀法制备AgO粉末的最佳条件为：m（K2S2O8）/m（AgNO3）=1.2,m（NaOH）/m（AgNO3）=2.5,反应温度60℃,反应时间为8h.制得的AgO含量为99.07％,粒度约为1～3μm.     

低温固化银浆的制备

本文研究了低温固化银浆的制备工艺,选择了片状银粉作为导电功能相,通过大量试验研制出合适的有机载体配方,制得了膜层方阻低、附着力强、挠曲性好的低温固化银浆,可很好地应用于柔性线路板和其它领域。     

银电极充电效果的改善措施

叙述了银电极的充电特性，提出了改进和提高银电极充电效果的措施。     

锌银蓄电池负极化成的研究进展

本文叙述了锌银蓄电池试制过程中负极化成的研究进展情况,并提出一些优化改进该工艺流程的措施,进一步保证了由小批量试制到大批量试制工艺的顺利过渡,并提出一些有利于大量试制的合理化建议。     

核壳结构银纳米复合材料制备及应用概述

核壳结构银纳米复合材料具有独特的物理和化学特性,在传感器检测、协同催化以及电磁屏蔽等领域有着广阔的应用前景,受到了学术界和工业界的广泛关注。近年来,有关核壳结构银纳米复合材料制备和应用探索的报道层出不穷,为很多领域的发展指明了方向。