生长时间对水热微乳液法制备氧化锌晶须形貌的影响

采用水热微乳液法制备了纳米级尺寸的四针氧化锌晶须,利用热重及X射线衍射对产物结构进行了分析,着重探讨了生长时间对晶须尺寸和形貌的影响.在较短的生长时间下,产物主体结构为四针状氧化锌晶须,随着生长时间的增加,花状晶须含量逐渐增多,并且晶须出现了二次生长,针体上富集了大量微细晶须.     

PVC／ZnOw复合材料的抗静电性能研究

制备了ＰＶＣ（聚氯乙烯）／ＺｎＯｗ（氧化锌晶须）复合材料，研究了ＺｎＯｗ用量、晶须表面处理、晶须尺寸和加工混炼时间等因素对复合材料体系电阻率的影响。结果表明，ＺｎＯｗ能有效降低ＰＶＣ的表面和体积电阻，满足高分子抗静电材料对电阻的要求。     

硫酸钙晶须在沥青路面应用的系统性研究

国内首次系统性地研究硫酸钙晶须对沥青及沥青混合料性能的影响、硫酸钙晶须与沥青作用机理以及导致硫酸钙晶须在沥青混合料应用过程中结构破坏的原因,对于硫酸钙晶须在道路领域的应用具有极高指导性和推广意义。硫酸钙晶须能够有效改善沥青的耐高温性能;提高沥青混合料的抗车辙能力;表面改性硫酸钙晶须与沥青通过表面改性剂连接;大孔隙率级配、降低拌和温度、缩短拌和时间等措施均可有效抑制硫酸钙晶须的破坏。     

晶须增韧陶瓷复合体的韧性行为研究

由对ＳｉＣ．ＴｉＮ晶须增韧Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４基陶瓷复合体的韧性行为研究，验证和讨论了Ｐ．Ｆ．Ｂｅｃｈｅｒ提出的晶须增韧方程。并通过实验对晶须增韧陶瓷复合体的性能，切削性能进行了研究，提出了在陶瓷发动机上的应用前景。     

Mg掺杂的ZnO薄膜的带隙宽化

用溶胶-凝胶法分别在硅片和玻璃衬底上生长出了纯的和Mg掺杂的ZnO薄膜。通过对Mg掺杂的ZnO薄膜进行元素成分分析,证明Mg元素成功地掺入到ZnO晶格中。通过透射光谱,得到了其带隙能量,且大小随着掺杂浓度的增加而线性增大。在同样掺杂浓度下,从光致发光光谱得到的带隙能量略大于通过透射光谱计算的结果,但是两者的增长率非常接近。     

国家“十五”863项目取得突破性进展“氧化锌晶须抗菌材料的研制与应用”通过成果鉴定

2005年11月1日，由四川省科技厅组织专家对西南交通大学和成都交大晶宇科技有限公司共同承担完成的“氧化锌晶须抗菌材料的研制与应用”项目进行了成果鉴定。在听取了课题组汇报，查阅了相关技术资料，并经过质询和充分讨论，以涂铭旌院士为主任、李玉宝教授为副主任的鉴定委员会一致同意上述项目通过成果鉴定。     

碳酸镁晶须的制备及其结构和形貌分析

以菱镁矿为镁源,Na2CO3为沉淀剂,采用沉淀法制备了碳酸镁晶须,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对合成产物的形貌和结构进行了表征.研究结果表明,硫酸镁溶液的浓度对合成晶须的结构和形貌没有明显影响,而反应温度对合成产物的结构和形貌有较大的影响,低温产物为碳酸镁晶须,但碳酸镁晶须只在一定的温度范围内稳定,随着反应温度的升高,碳酸镁晶须逐渐转变为片状碱式碳酸镁.     

"氧化锌晶须抗菌材料的研制与应用"项目通过成果鉴定

2005年11月1日，由四川省科技厅组织专家对西南交通大学和成都交大晶宇科技有限公司共同承担完成的“氧化锌晶须抗菌材料的研制与应用”项目进行了成果鉴定。涂铭旌院士和李玉宝教授分别任鉴定委员会主任和副主任．     

氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究

采用电子束反应蒸发法（REBE）生长钴掺杂的氧化锌（Zn1-xCoO x=0．1）薄膜，研究薄膜的铁磁特性．对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明：薄膜具有室温（300K）铁磁性；Zn1-xCoxO薄膜，无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面，其室温矫顽力均仅为6～7G，呈现典型的稀磁及磁各向同性特征；而对于多晶Zn1-CoxO薄膜，其室温矫顽力在200～370G之间展示出显著的磁化各向异性特征；同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理．     

双成分负U模型的赝隙形成及其核弛豫行为

利用格林函数退耦合方法研究了双成分负Ｕ模型单粒子激发谱。为包含部分涨落效应在运动方程的第三步作退耦合近似。研究结果表明，在激发谱中存在赝隙。此外，计算得到的核自旋－晶格弛豫率与过掺杂的高温超导体的行为相符。     

碳纳米管原位增强Ni-Co纳米复合涂层的水热法可控合成

利用水热法在铜合金表面制备了Ni-Co纳米复合涂层,并研究了稀土元素La_2O_3对涂层中碳纳米管原位生长的影响规律.实验结果表明,在160℃的水热反应中,加入0.5%La_2O_3时促进碳纳米管原位生长的效果最佳;所获得碳纳米管原位增强Ni-Co纳米复合涂层的显微硬度为512 HV,是铜基体硬度(92 HV)的5.6倍.水热反应中,稀土元素通过将碳原子带入晶格间隙提高了Ni-Co纳米颗粒晶格间隙中的碳原子溶解度和浓度梯度,从而提高碳原子在Ni-Co纳米颗粒中的扩散驱动力,促进了碳纳米管原位生长.     

Ta:SnO2薄膜的制备与性能研究

SnO2作为一种典型的宽带隙半导体材料具有许多优异的物理和化学性质,例如极高的电子电导率、可见光透过率和化学稳定性,因此广泛用于光电材料、太阳能电池和气敏材料等各领域.采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了Ta掺杂SnO2透明导电薄膜,其中Ta含量在8atom.％左右.Ta:SnO2薄膜的表面形貌较平整,但由于局部应力使薄膜出现了细小的断裂.Ta:SnO2薄膜为金红石结构,结晶程度较高,由于Ta5+、Sn4离子半径接近,Ta原子溶入SnO2的晶格中置换Sn原子位置形成了稳定均一的固溶体结构,因此没有第二相出现,但是其晶格常数略有变化.     

Al 掺杂 T-ZnO 晶须的光致发光及场发射性能

用丝网印刷法将Al掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373~383 nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510~540 nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5 mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阈值电场分别达到0.74 V/μm和2.6 V/μm,场增强因子值为30249.     

EMCD和ALCHEMI研究单个DMS纳米结构的铁磁性内禀属性

项目类型：面上项目 项目编号：50902014 项目摘要：传统方法不能同时进行单个稀磁半导体（DMS）纳米结构磁性质测量和二次相判定，无法直接确定铁磁性是否为其内禀属性。本项目利用通道增强微分析（ALCHEMI）和电子磁手性二色性谱（EMCD），研究单个ZnO基稀磁半导体纳米材料的铁磁性内禀属性问题。确定掺杂离子在ZnO基体中的掺杂位置；在透射电镜下选择特殊的散射条件，构造出与X射线极化光一左旋光和右旋光等价的电子束，研究掺杂离子能量损失边的二向色性；原位加移磁场，研究二向色性谱的变化；结合同时得到的单个纳米结构的微观结构，区分磁性的类型并确定铁磁性是否是材料的内禀属性。     

铁基超导体SmOFeAs磁性的理论研究

为了从理论上研究新型5d过渡元素掺杂及压力诱导铁基超导体产生的超导电性,采用密度泛函理论自旋广义梯度近似方法(SGGA+U)计算分析了SmOFeAs的结构及Ir在Fe位上掺杂对体系电子结构和磁性质的影响.结果表明:铁基超导体SmOFeAs体系中Fe-3d电子的库仑势约为4 eV;物理外压和化学掺杂均可抑制SmOFeAs的反铁磁自旋密度波,使体系的磁有序度降低,与实验结果一致;Ir掺杂的SmOFe1-xIrxAs体系从反铁磁自旋密度波逐渐过渡为无磁性态,且超导态与反铁磁态共存并出现在磁性量子临界点附近.     

Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质

在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO_3,薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.     

4H-SiC基稀磁半导体的电子结构

通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素(TM)掺杂六方结构碳化硅(4H-SiC)晶体和Al、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结构的稳定性取决于TM和Si原子的化学势.结果发现在TM掺杂4H-SiC体系中,掺杂Ti的结构是最稳定的,而Al、TM共掺4H-SiC中掺杂V的结构是最稳定的.对比TM元素单掺杂和Al与TM元素共掺杂体系的磁性质可知,Al有稳定结构和影响结构磁性的作用.     

高温高压处理对氧化锌晶体形貌的影响

在高温高压的条件下对氧化锌晶体进行了处理,所得的氧化锌样品用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)进行了鉴定和表征.考察了不同的温度和压力处理条件对ZnO晶体形貌和微粒尺寸的影响.研究结果表明: 氧化锌为纤锌矿结构,高温高压处理对氧化锌的晶体形貌和晶粒大小有一定的影响.随着处理温度和压力的增大,氧化锌结晶状况逐渐变好,晶体形貌逐渐清晰,晶粒尺寸也逐渐增大.     

吻合血管腓骨移植在股骨头颈部的生长变化

作者对1981～1989年112例股骨头无菌性坏死及陈旧性股骨颈骨折施行了股骨头颈部自体吻合血管的游离腓骨移植术。对其中44例进行了3个月～8年随访发现:带血管的腓骨移植到股骨头颈部后,在生长过程中逐渐改建塑形,将自身的形态结构转变成为类似股骨头颈部骨骼的形态与结构,以适应新的环境及功能。此过程约需3年～4年。     

电解质CeO2基薄膜伏安特性的研究

采用溶胶-凝胶法制备了CeO2基电解质薄膜，测量了CeO2基电解质薄膜的伏安特性，发现在CeO2基电解质薄膜中存在VCNR现象．研究了不同掺杂浓度、不同层数和不同掺杂离子对CeO2基电解质薄膜VCNR特性的影响．