ZnS：Cu的电致发光特性

为了以ZnS为基质材料获得蓝色电致发光,烧结了ZnS:Cu进而制备了薄膜电致发光显示器件。测量了其电致发光光说,发现它具有4个峰,研究了发光强度随电压、频率变化的规律。结果表明,利用ZnS:Cu可获得蓝色电致发光。     

发光层厚度比对有机电致发光器件性能的影响

将发光层进行多次堆叠构造出有机电致发光器件。实验说明,在总厚度相同而各发光层厚度比不同的条件下,器件呈现不同的发光特性。器件的电致发光光谱存在明显的变化,器件颜色由蓝光到近白光变化显著,器件的亮度和效率也有不同程度的变化。     

基于聚苯撑苯并二恶唑的多功能光电器件

首次报道了基于全共轭高分子材料聚苯撑苯并二恶唑（PBO）作为空穴传导材料及电子给体，富勒烯（C60）作为电子传输层及电子受体的双层异质结器件．研究发现：该结构器件具有明显的光伏响应特征，开路电压达0．76V，短路电流0．07mA／cm^2；而且在正向偏压下，器件还表现出了较强的激基复合物电致发光现象，在7．1V偏压下，器件的亮度达5．3×10^3cd／m^2，而器件的最高发光效率可达1．8cd／A．该研究表明，基于PBO／C60双层异质结的多功能光电器件具有较好的开发价值和应用前景．     

Eu^3＋：（TTA）m复合体系的电致发光研究

以稀土螯合物Eu^3 ：（TTA）m复合体系和小分子材料Alq3作成双层结构器件，研究Alq3层厚度不同时电致发光光谱的变化，当Alq3层的厚度减小到某一厚度时，在双层器件结构中可得到高亮度、窄谱带的经色发光。     

Eu3+、Er3+掺杂Tb2(MoO4)3发光性能研究

通过高温固相法制备了Re_xTb_(2-x)Mo_3O_(12)(Re=Eu,Er; x=1%,3%,5%)材料.研究了不同Eu~(3+)、Er~(3+)掺杂浓度对Tb_2(MoO_4)_3发光性能的影响.X射线衍射结果表明:合成样品为纯相,Eu~(3+)、Er~(3+)的掺杂并不改变Tb_2(MoO_4)_3的晶体结构.激发光谱和发射光谱结果表明:随着Eu~(3+)掺杂浓度的增大,Tb_2(MoO_4)_3发光强度提高;随着Er~(3+)掺杂浓度的增大,样品发光强度先增强后减弱,存在浓度猝灭现象.本研究为开发新型发光材料提供了一定的参考.     

溶胶凝胶法制备ZAO薄膜

采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了Al3+离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好.     

溶胶凝胶法制备ZAO薄膜

采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的A l3 离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了A l3 离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好.     

有源驱动有机半导体发光三极管

研制了有源驱动的有机发光显示器件—具有有机静电感应三极管结构的有机电致发光三极管，并测试评价了其基本电气、光学特性．研制的有机电致发光三极管，采用酞氰铜和喹啉铝蒸发膜作为作用层，由测试结果可知，较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子，通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构，获得了高速、高电流密度等良好的三极管工作特性。     

Al 掺杂 T-ZnO 晶须的光致发光及场发射性能

用丝网印刷法将Al掺杂的T-ZnO晶须制备成薄膜,以研究其结构形貌、光致发光及场发射性能.所有发光谱均由强的紫外光发射(发光中心集中在373~383 nm)和宽的黄绿光发射(发光中心集中在510~540 nm)组成.ZnO薄膜的内部缺陷浓度决定黄绿光发射的强度.掺杂0.5 mol/L的Al样品的紫外光强度最大,场发射性能最好,其开启电场和阈值电场分别达到0.74 V/μm和2.6 V/μm,场增强因子值为30249.     

电解质CeO2基薄膜伏安特性的研究

采用溶胶-凝胶法制备了CeO2基电解质薄膜，测量了CeO2基电解质薄膜的伏安特性，发现在CeO2基电解质薄膜中存在VCNR现象．研究了不同掺杂浓度、不同层数和不同掺杂离子对CeO2基电解质薄膜VCNR特性的影响．     

聚苯胺红外反射谱随氯化氢掺杂量的变化

掺杂种类和掺杂量的不同可使聚苯胺的光学性质发生很大的变化．利用盐酸挥发的HCl气体对聚苯胺自支持薄膜进行了掺杂,并测量了不同掺杂浓度的薄膜在不同入射角下的红外反射谱（4000cm-1～400cm-1）．结果表明：掺杂使干涉程度明显减弱、干涉峰向长波方向移动、反射率先上升后下降,而且不同入射角反射谱的相对强度也会有一定程度的改变．通过实测数据分析与计算机模拟对比证明：在低掺杂浓度时,随着掺杂程度的提高,消光系数上升较快,当掺杂浓度较高时,消光系数上升缓慢;在整个掺杂过程中,折射率基本保持一个较慢的上升趋势．     

N掺杂的ZnO薄膜发光性质研究

以醋酸锌为前驱体、醋酸铵为掺杂源,采用溶胶—凝胶法制备出N掺杂的ZnO薄膜,研究了其表面形貌、晶体结构和变温下的光致发光光谱,探讨了N作为受主掺杂的热力学性质。结果表明,掺杂后的薄膜是六角纤锌矿结构,光谱中表现出和N相关的受主束缚激子、自由激子—受主和施主—受主对发光现象。通过理论计算得到,N作为受主的电离能大小为0.255~0.310 eV,表明N是一种有效的浅受主,其能级上的电子在较小的能量下就能够电离。     

Mg掺杂的ZnO薄膜的带隙宽化

用溶胶-凝胶法分别在硅片和玻璃衬底上生长出了纯的和Mg掺杂的ZnO薄膜。通过对Mg掺杂的ZnO薄膜进行元素成分分析,证明Mg元素成功地掺入到ZnO晶格中。通过透射光谱,得到了其带隙能量,且大小随着掺杂浓度的增加而线性增大。在同样掺杂浓度下,从光致发光光谱得到的带隙能量略大于通过透射光谱计算的结果,但是两者的增长率非常接近。     

碱金属离子掺杂对CaWO4:Tb^3+发光和余辉性能的影响

钨酸钙作为一类优越的无机发光材料,以其稳定的化学、物理性质,吸引了广泛的注意.而共掺碱金属离子对绿色CaWO4:Tb3+荧光粉的发光及余辉性能的影响尚未报道,因此本文采用高温固相法在空气氛围下制备了Li+,Na+,K+掺杂的CaWO4:Tb3+系列绿色荧光粉,并通过XRD、激发光谱、发射光谱、余辉衰减、热释光谱等对其发光性能和余辉性能做了相关测试和研究.通过研究比较,当共掺杂不同碱金属离子作电荷补偿时CaWO4:Tb3+的发光及余辉性能得到不同程度的提高.     

自发光式交通标志亮度与对比度的研究

自发光式交通标志的亮度和对比度是影响自发光式交通标志视认性的重要因素。本文总结了国内外一些实验研究结论,结合交通标志设计中人体视觉行为的特征,对自发光式标志的亮度、对比度进行了分析,提出了自发光式交通标志最佳亮度范围与对比度值,对自发光式交通标志设计具有参考价值。     

氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究

采用电子束反应蒸发法（REBE）生长钴掺杂的氧化锌（Zn1-xCoO x=0．1）薄膜，研究薄膜的铁磁特性．对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明：薄膜具有室温（300K）铁磁性；Zn1-xCoxO薄膜，无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面，其室温矫顽力均仅为6～7G，呈现典型的稀磁及磁各向同性特征；而对于多晶Zn1-CoxO薄膜，其室温矫顽力在200～370G之间展示出显著的磁化各向异性特征；同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理．     

Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质

在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO_3,薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.     

退火对Er^3＋和Yb^3＋共掺氟氧化物微晶玻璃样品上转换发光的影响

测量了Er^3 和Yb^3 掺杂氟氧化物微晶玻璃退火前后两种样品的吸收光谱、激发光谱、上转换发光光谱及其强度随泵浦光强的变化,并对比讨论了其上转换发光特性。     

Fe掺杂TiO2纳米粉体制备及光催化性能研究

为了探究煅烧温度和Fe离子掺杂浓度对TiO2纳米粉体晶体结构和光催化性能的影响,以TiCl4、NH4 OH、Fe(NO3)3·9H2 O为原料,采用共沉淀法成功制备了Fe掺杂TiO2纳米粒子,并通过XRD、UV-Vis等测试手段对样品进行了表征.结果表明:(1)TiO2纳米粉体的晶粒尺寸随煅烧温度升高而增大;(2)粉体的光催化效率随煅烧温度升高先增加后降低,450℃时达到最佳值,此时粉体为单一锐钛矿晶体结构;(3)Fe掺杂可抑制金红石型TiO2的形成,掺杂浓度应控制在合适范围内,当Fe掺杂浓度为0.1％时,TiO2光催化效率最高.     

一种掺铒离子化合物的上转换发光的研究

合成了一种新型掺Ｅｒ离子化合物的上转换发光材料，测量了此材料在短波段上的转换发光光谱和激光光谱，初步研究了它们在短波段的上转换发光过程，短波段的上转换发光分别为三光子或四光子过程，还比较了掺杂敏 化剂和不掺敏化剂两情况下的上转换发光的变化情况。