有机半导体薄膜三极管的研制

采用有机半导体材料铜酞化氰和肖特基形栅极静电感应三极管结构制作有机薄膜三极管并对其电气特性进行了测试评价，制作的肖特基栅极有机SIT与MOSFET相比惆的动作特性与栅极偏压和梳状栅极的结构有很强的关系。     

有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性

根据Au/CuPc/Al/CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果,分析了该三极管动作特性与器件结构的关系.结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性.其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构.合理设计、制作梳状铝电极,可获得良好的三极管静态、动态特性.     

有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性

根据Au／CuPc／Al／CuPc／Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果，分析了该三极管动作特性与器件结构的关系．结果表明，该三极管驱动电压低，呈不饱和电流一电压特性．其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构．合理设计、制作梳状铝电极，可获得良好的三极管静态、动态特性．     

有源驱动有机半导体发光三极管

研制了有源驱动的有机发光显示器件--具有有机静电感应三极管结构的有机电致发光三极管,并测试评价了其基本电气、光学特性.研制的有机电致发光三极管,采用酞氰铜和喹啉铝蒸发膜作为作用层.由测试结果可知,较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子.通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构,获得了高速、高电流密度等良好的三极管工作特性.     

有源驱动有机半导体发光三极管

研制了有源驱动的有机发光显示器件—具有有机静电感应三极管结构的有机电致发光三极管，并测试评价了其基本电气、光学特性．研制的有机电致发光三极管，采用酞氰铜和喹啉铝蒸发膜作为作用层，由测试结果可知，较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子，通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构，获得了高速、高电流密度等良好的三极管工作特性。     

薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性

试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构.制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为VDS=3V,VGS=0V时,静态动作电流IDS=1.2×10-6A/mm2,动态小信号响应频率可达到1 000Hz.实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性.     

栅极长度变化与有机静电感应三极管工作特性之间关系的数值解析

根据实际制作的有机静电感应三极管(OSIT)建立有机静电感应三极管的物理模型,选取合适的结构参数,采用有限元法计算OSIT内部的电位数值解.依据OSIT导电沟道内的电位分布,分析栅极长度变化对OSIT工作特性的影响.     

薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性

试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构,制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为V_(DS)=3V,V_(GS)=0V时,静态动作电流I_(DS)=1.2×10~(-6)A/mm~2,动态小信号响应频率可达到1000Hz。实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性。     

栅极长度变化与有机静电感应三极管工作特性之间关系的数值解析

根据实际制作的有机静电感应三极管(OSIT)建立有机静电感应三极管的物理模型，选取合适的结构参数，采用有限元法计算OSIT内部的电位数值解，依据OSIT导电沟道内的电位分布，分析栅极长度变化对OSIT工作特性的影响。     

有机静电感应三极管(OSIT)静态工作特性的解析

在分析SIT器件电流-电压特性的理论基础上,对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试.通过对测试曲线进行数据拟合与解析,得出一系列OSIT在不同偏压条件下,电流-电压的表达式.数据解析结果表明,有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符.     

有机静电感应三极管（OSIT）静态工作特性的解析

在分析SIT器件电流一电压特性的理论基础上，对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试，通过对测试曲线进行数据拟合与解析，得出一系列OSIT在不同偏压条件下，电流-电压的表达式．数据解析结果表明，有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符。     

输油管线公路穿越保护装置设计研究

输油管线穿越公路时既不能妨碍交通,又不能让管线被车辆的重量和震动所破坏,目前有三种解决方法,即门桥、挖地沟和安设护木.通过对这三种方式优缺点的分析,设计了一种结构简单、安装迅速的新型管线穿越公路的护管装置,并对其进行了结构强度分析与优化,分析表明,所设计的护管装置能很好的满足要求.     

输油管线公路穿越保护装置设计研究

输油管线穿越公路时既不能妨碍交通，又不能让管线被车辆的重量和震动所破坏，目前有三种解决方法，即门桥、挖地沟和安设护木．通过对这三种方式优缺点的分析，设计了一种结构简单、安装迅速的新型管线穿越公路的护管装置，并对其进行了结构强度分析与优化，分析表明，所设计的护管装置能很好的满足要求．     

DC gain analysis of scaled CMOS op amp in Sub-100 nm technology nodes: A research based on channel length modulation effect

Metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) intrinsic gain degradation caused by channel length modulation (CLM) effect is examined. A simplified model based on Berkeley short-channel insulator-gate field effect transistor model version 4 (BSIM4) current expression for sub-100 nm MOSFET intrinsic gain is deduced, which only needs a few technology parameters. With this transistor intrinsic gain model, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) operational amplifier (op amp) DC gain could be predicted. A two-stage folded cascode op amp is used as an example in this work. Non-minimum length device is used to improve the op amp DC gain. An improvement of 20 dB is proved when using doubled channel length design. Optimizing transistor bias condition and using advanced technology with thinner gate dielectric thickness and shallower source/drain junction depth can also increase the op amp DC gain. After these, a full op amp DC gain scaling roadmap is proposed, from 130 nm technology node to 32 nm technology node. Five scaled op amps are built and their DC gains in simulation roll down from 69.6 to 41.1 dB. Simulation shows transistors biased at higher source-drain voltage will have more impact on the op amp DC gain scaling over technology. The prediction based on our simplified gain model agrees with SPICE simulation results.     

有机静电感应三极管的有限元法仿真解析

通过合理建立有机静电感应三极管（OSIT）的物理仿真模型及选取合适的结构参数，采用有限元法，对OSIT在不同偏压下仿真计算其内部电位分布，进行了探索性研究。依据仿真计算结果，获得OSIT导电沟道内部电位分布，进而分析OSIT的工作特点，以及OSIT的工作特性与偏压和结构参数的依赖关系。     

Bias current influence on the characteristic of the magnetic-controlled switcher type fault current limiter

A novel magnetic-controlled switcher type fault current limiter (FCL) for high voltage electric network is presented. The current limiting principle of the FCL and the bias current influence on the characteristic of the FCL are discussed. The experiments on the 220 V/50 A test model show that the FCL can limit the fault current swiftly and effectively. Under the normal state, the bias current adjustment can change the FCL voltage loss; under the fault state, the steady fault current can be easily adjusted to the preset level by bias current regulating. The experimental result is in accordance with the principle analysis and the FCL has the advantages of flexible control strategy and simple and reliable structure. Foundation item: the National Basic Research Program (973) of China (No. 2005CB221505) and the Research Fund for Doctoral Program of High Education of China (No. 20050248058)     

基于聚苯撑苯并二恶唑的多功能光电器件

首次报道了基于全共轭高分子材料聚苯撑苯并二恶唑（PBO）作为空穴传导材料及电子给体，富勒烯（C60）作为电子传输层及电子受体的双层异质结器件．研究发现：该结构器件具有明显的光伏响应特征，开路电压达0．76V，短路电流0．07mA／cm^2；而且在正向偏压下，器件还表现出了较强的激基复合物电致发光现象，在7．1V偏压下，器件的亮度达5．3×10^3cd／m^2，而器件的最高发光效率可达1．8cd／A．该研究表明，基于PBO／C60双层异质结的多功能光电器件具有较好的开发价值和应用前景．