三氧化钨薄膜的制备及其亲水/疏水性能转变研究

在预先用聚多巴胺薄膜处理的玻璃基底上,采用溶胶-凝胶法制备出三氧化钨(WO3)薄膜,用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征手段来分析其物相组成和形貌特征.对WO3薄膜在UV光照射下和黑暗的环境中发生亲水/疏水转换的现象进行研究,最后得出WO3薄膜表面润湿性转化的机理.     

ZnO薄膜的溶胶—凝胶法制备及其光学性质研究

采用溶胶—凝胶法分别在透明玻璃和Si衬底上制备出了ZnO薄膜。分别采用X射线衍射仪(XRD)、能量分散谱仪(EDS)、紫外可见分光光度计和荧光光谱仪对所制样品进行测试,研究了样品的结构特性、成分和光学特性。X射线衍射结果表明,所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构;ZnO薄膜的EDS能谱图表明薄膜包含O元素和Zn元素;透射光谱表明ZnO薄膜质量高,在可见光范围内具有较高的透射率,平均透射率在85%以上;吸收光谱表明在带隙处存在吸收边;从PL光谱观察到了显著的紫外发射峰。     

SnO2纳米薄膜的制备及光学性能研究

采用热蒸发法制备氧化锡薄膜,结合相关理论制定了一系列实验.在不同的工艺条件下制备了氧化锡薄膜,研究了温度、基片距离和环境压力对薄膜的影响,并利用X射线衍射仪、拉曼谱仪对薄膜进行了成分及结构测试,用阴极发光方法测定了薄膜的发光性质.     

PVDF压电薄膜结构监测传感器应用研究

压电材料是目前在智能材料系统研究中应用最为广泛的传感材料之一。由于PVDF压电薄膜具有制作成本低、机械性能好、灵敏度高等优点而受到了广泛关注。以PVDF压电薄膜作为结构监测的传感元件,对PVDF的应变传感原理进行了研究,并建立了基于信号采集与处理的PVDF应变监测系统,最后对PVDF监测构件裂纹进行了实验。实现了压电薄膜的应变与裂纹监测,为实际工程应用奠定了基础。     

退火温度对化学水浴沉积CdS薄膜性能的影响

采用化学水浴沉积法(CBD)制备了CdS薄膜,用扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、分光光度计进行检测.研究了退火温度对CdS薄膜表面形貌、成分、晶体结构和光学性能的影响.研究表明,CdS薄膜为微晶或是非晶态,S/Cd原子比在0.8左右,可见光透过率较高;随着退火温度的升高,薄膜结晶明显,但是透光率下降,禁带宽度范围在2.42～2.59eV之间.     

氟化类金刚石薄膜的沉积及性能研究现状

类金刚石薄膜是 80年代初出现的新型非金属薄膜材料之一 ,其优异的综合性能引起了人们极大的兴趣。本文对类金刚石薄膜的近期进展进行了概括性介绍 ,重点介绍在此基础上发展起来的氟化类金刚石薄膜材料 (FDLC) ,包括氟元素对类金刚石薄膜 (DLC)在结构、性能及在沉积工艺上所带来的的影响等。     

两种不同改性方法制备的Ag-TiO2薄膜光催化活性研究

以溶胶凝胶法在平板玻璃表面负载了TiO2薄膜,用不同浓度AgNO3溶液浸渍,然后进行了光照还原法和煅烧分解法Ag改性.以甲醛为模拟污染物,考察了两种方法改性的Ag-TiO2薄膜的光催化活性.结果表明:光照还原法在AgNO3溶液为0.1 moL/L时Ag改性的TiO2薄膜催化活性最强,其催化活性是纯TiC2薄膜的2.3倍...     

La0.7Sr0.3MnO3单晶外延薄膜制备及其磁电阻特性

为制得性能良好的涂层导体用La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)缓冲层薄膜、研究LSMO薄膜的低磁场磁电阻效应,利用高分子辅助化学溶液沉积法,在LaAlO3(LAO)单晶基底上制备了一系列钙钛矿LSMO单晶外延薄膜.考虑氩气和氧气退火气氛对LSMO成相的影响,研究了氩气退火条件下样品的织构、形貌情况和氧气退火条件下制得的样品的输运性质及磁电阻效应.研究结果表明:氩气下采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一LSMO缓冲层;氧气下退火制得的薄膜c轴取向生长良好,并且电阻-温度曲线出现绝缘体-金属相变,其磁电阻值在200~300 K范围内不随温度变化,在1 T磁场室温下磁电阻值约为-26.0 %.      

氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究

采用电子束反应蒸发法（REBE）生长钴掺杂的氧化锌（Zn1-xCoO x=0．1）薄膜，研究薄膜的铁磁特性．对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明：薄膜具有室温（300K）铁磁性；Zn1-xCoxO薄膜，无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面，其室温矫顽力均仅为6～7G，呈现典型的稀磁及磁各向同性特征；而对于多晶Zn1-CoxO薄膜，其室温矫顽力在200～370G之间展示出显著的磁化各向异性特征；同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理．     

电解质CeO2基薄膜伏安特性的研究

采用溶胶-凝胶法制备了CeO2基电解质薄膜，测量了CeO2基电解质薄膜的伏安特性，发现在CeO2基电解质薄膜中存在VCNR现象．研究了不同掺杂浓度、不同层数和不同掺杂离子对CeO2基电解质薄膜VCNR特性的影响．