SiNx薄膜的光致发光研究

用射频磁控溅射技术制备了氮化硅薄膜,室温下测试了薄膜的光致发光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE),对薄膜材料的发光特性进行了分析.结果表明,在可见光范围内薄膜有很好的光致发光性质.在波长为381 nm的光激发下,SiNx薄膜的主要发光峰位于520 nm(2.38 eV), 553 nm(2.24 eV), 573 nm(2.16 eV),587 nm(2.11 eV)和627 nm(1.98 eV),主要来自电子在导带与缺陷能级才以及缺陷能级与价带之间的辐射复合.     

衬底温度对MgxZn1-xO晶体薄膜表面形貌的影响

采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100)生长出了MgxZn1-xO晶体薄膜.用原子力显微镜(AFM)测得不同衬底温度下晶体薄膜的表面平整性,根据测得的数据资料分析衬底温度对薄膜表面粗糙度的影响,发现在250℃时生长得到的MgxZn1-xO薄膜具有最好的平整性,这也和以前生长的MgxZn1-xO薄膜分析结果一致.     

退火温度对化学水浴沉积CdS薄膜性能的影响

采用化学水浴沉积法(CBD)制备了CdS薄膜,用扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、分光光度计进行检测.研究了退火温度对CdS薄膜表面形貌、成分、晶体结构和光学性能的影响.研究表明,CdS薄膜为微晶或是非晶态,S/Cd原子比在0.8左右,可见光透过率较高;随着退火温度的升高,薄膜结晶明显,但是透光率下降,禁带宽度范围在2.42～2.59eV之间.     

铁电-磁性复合薄膜的溶胶-凝胶法制备

用溶胶-凝胶法制备了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3-Fe3O4复合薄膜。XRD研究表明,Pb(Zr0.5Ti0.5)O3呈完全(001)取向的,而Fe3O4颗粒则呈完全随机取向。在9V的测试电压下,薄膜的剩余极化Pr值为1.5μC/cm2;在1.5T的外磁场作用下,薄膜的剩余磁化强度和饱和磁化强度分别为0.67emu/cm3和3.5emu/cm3。铁电材料Pb(Zr0.5Ti0.5)O3与磁性纳米Fe3O4粒子的复合获得了室温共存的铁电性和磁性。     

Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质

在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO_3,薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.     

Sol-Gel提拉法制备ZAO薄膜及其光电性能

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)浸渍提拉法(基于组装的小型提拉装置)在普通玻璃片上制备出ZnO∶Al(ZAO)薄膜,利用扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、数字式四探针测试仪等检测手段分别对其进行了分析比较.结果表明:Al3+浓度为1.0%的ZAO薄膜表面最为致密均匀;随着退火温度的提高,薄膜的晶体平均粒径明显增大,电阻率逐渐减小;不同掺Al量的ZAO薄膜在可见光区的平均透光率均在70%以上,当Al3+浓度为1.5%时,550℃退火2h,电阻率最小,为5.9×10-2Ω*cm.     

两种不同改性方法制备的Ag-TiO2薄膜光催化活性研究

以溶胶凝胶法在平板玻璃表面负载了TiO2薄膜,用不同浓度AgNO3溶液浸渍,然后进行了光照还原法和煅烧分解法Ag改性.以甲醛为模拟污染物,考察了两种方法改性的Ag-TiO2薄膜的光催化活性.结果表明:光照还原法在AgNO3溶液为0.1 moL/L时Ag改性的TiO2薄膜催化活性最强,其催化活性是纯TiC2薄膜的2.3倍...     

退火温度对溶胶-凝胶法制备（Na,Mg）：ZnO薄膜特性的影响

利用溶胶-凝胶法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Na,Mg):ZnO薄膜.重点研究了退火温度对薄膜结构性质的影响.扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱表明退火温度过高或过低都不利于薄膜良好表面形貌的形成及c轴择优取向生长.在一定范围内退火温度的升高,会使薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜表面形貌及c轴择优取向性得到改善,560℃为实验条件下的最佳退火温度.样品的荧光光致发光(PL)谱表明经560℃退火后的(Na,Mg):ZnO薄膜具有很少的缺陷及较高的结晶质量,是良好的紫外发光材料.     

酞菁铜薄膜制备及其光学性能

采用真空蒸发的方法在ITO玻璃上制备了CuPc 薄膜,并用分光光度计(U-3310)测试了四种不同厚度的CuPc薄膜的透射/吸收/反射率随波长变化情况,重点分析了其中的吸收规律.结果显示波段在340～370nm和570～720nm光吸收率基本上在90%左右,在480nm吸收率最低,大部分光都已透射.同时用扫描电子显微镜对薄膜进行了成分分析,对照能谱图可以看出样品中含有碳、氧、铜等元素,与酞菁铜薄膜元素组成成分相符.     

SnO2纳米薄膜的制备及光学性能研究

采用热蒸发法制备氧化锡薄膜,结合相关理论制定了一系列实验.在不同的工艺条件下制备了氧化锡薄膜,研究了温度、基片距离和环境压力对薄膜的影响,并利用X射线衍射仪、拉曼谱仪对薄膜进行了成分及结构测试,用阴极发光方法测定了薄膜的发光性质.     

Sol-Gel提拉法制备ZAO薄膜及其光电性能

采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）浸渍提拉法（基于组装的小型提拉装置）在普通玻璃片上制备出ZnO：Al（ZAO）薄膜,利用扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、数字式四探针测试仪等检测手段分别对其进行了分析比较。结果表明：Al^3＋浓度为1．0％的ZAO薄膜表面最为致密均匀;随着退火温度的提高,薄膜的晶体平均粒径明显增大,电阻率逐渐减小;不同掺Al量的ZAO薄膜在可见光区的平均透光率均在70％以上,当Al^3＋浓度为1．5％时,550℃退火2h,电阻率最小,为5．9×10^-2Ω·cm。     

铝合金表面镍钼二元化学转化膜的制备及其耐腐蚀性

以NiSO4和Na2MoO4作为成膜主盐制备铝合金表面无铬的Ni-Mo二元化学转化膜,考察了溶液pH值、NiSO4浓度、Na2MoO4浓度、温度对Ni-Mo二元膜耐腐蚀性能的影响.耐腐蚀性试验、电化学分析和SEM表征结果表明：与空白铝合金试片、覆盖Ni一元膜的铝合金试片相比,覆盖Ni-Mo二元膜的铝合金具有更佳的耐腐蚀性能和更为平整的转化膜外观.     

Fe-30Mn-2．7Si合金单宁酸化学转化膜研究

以优选工艺,进行单宁酸溶液处理Fe-30Mn-2.7S i恒弹性合金,在其表面形成化学转化膜.采用X射线衍射与扫描电镜及在1 mol/L Na2SO4溶液中测定阳极极化曲线与电化学阻抗谱等技术研究化学转化膜的结构、成膜机制与提高其耐电化学腐蚀性能的效果.依据在Fe-30Mn-2.7S i合金表面进行10%CuSO2滴浸的加速腐蚀实验,初步选定较优的单宁酸反应成膜工艺条件.这种转化膜很可能是由有一定孔隙的非晶态合金单宁酸膜层构成.在1 mol/L Na2SO4溶液中,由阳极极化曲线与电化学阻抗谱等参数表征单宁酸转化膜的抗腐蚀性能优于Fe-30Mn-2.7S i合金基体.文中还简要地讨论单宁酸转化膜的结构与电化学性能.     

多次纺丝与退火对 ITO 薄膜表面均匀性的影响

通过多次纺丝与退火工艺在普通玻璃载玻片上制备ITO透明导电薄膜，研究了退火工艺对薄膜表面形貌的影响。结果表明：退火不仅提高了ITO颗粒的洁净程度，同时减小了其在薄膜表面的粒径分布。多次纺丝与退火可以提高ITO颗粒的覆盖密度，得到致密性比较好、表面缺陷比较少、表面粗糙度比较小、均匀平整的透明导电薄膜。     

Effect of LaNiO3 Interlayer on the Dielectric Properties of Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Film on Si Substrate

In this study, (100)-oriented growth of Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) /LaNiO3 (LNO) stacks was obtained on Pt(lll)/SiO2/Si substrates by r.f. magnetron sputtering. The orientation of the subsequently deposited Ba0.5Sr0.5TiO3 thin film was strongly affected by the LNO under layer, and the BST thin film deposited on the (100)LNO-coated Si substrate was also found to have a significant (100)-oriented texture. Effects of LNO interlayer on the dielectric properties of BST thin films were investigated. As a result, the tunability of BST thin film was greatly improved with the insertion of (100)-oriented LNO under layer with proper thickness.     

Effect of LaNiO3 interlayer on the dielectric properties of Ba0.5Sr0.5TiO3 thin film on Si substrate

In this study, (100)-oriented growth of Ba_0.5Sr_0.5TiO₃ (BST) /LaNiO₃ (LNO) stacks was obtained on Pt(111)/SiO₂/Si substrates by r.f. magnetron sputtering. The orientation of the subsequently deposited Ba_0.5Sr_0.5TiO₃ thin film was strongly affected by the LNO under layer, and the BST thin film deposited on the (100)LNO-coated Si substrate was also found to have a significant (100)-oriented texture. Effects of LNO interlayer on the dielectric properties of BST thin films were investigated. As a result, the tunability of BST thin film was greatly improved with the insertion of (100)-oriented LNO under layer with proper thickness. Foundation item: the National Key Lab of Nano/Micro Fabrication Technology (No. 9140C 790310060C79) and the National Natural Science Foundation of China (No. 60701012)     

Fe-25Mn-5Al无磁与低温钢在NaOH水溶液中形成的钝化膜的XPS研究

采用Ｘ射线光电子谱仪（ＸＰＳ）研究Ｆｅ－２５Ｍｎ－５Ａｌ－０．１５Ｃ合金在３０％ＮａＯＨ溶液中钝化后形成的钝化膜。深度剖面的ＸＰＳ分析结果表明：钝化膜的最表层与主体部分分别存在结合水与由Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＦｅＯ（或Ｆｅ３Ｏ４）、ＭｎＯ（或Ｍｎ３Ｏ４）及金属态Ｆｅ、Ａｌ与Ｍｎ组成的混合物。     

骶前冲洗对直肠前切除术后局部复发影响的Meta分析

目的探讨骶前冲洗对直肠前切除术后局部复发的影响。方法采用Meta分析软件对1980年1月～2011年1月间发表的骶前冲洗对直肠癌前切除术局部复发影响的文献进行分析。结果共筛选出6篇文献(其中1篇文献有77名患者未确定分组,10名局部复发,67名无复发);直肠癌术后局部复发率为7.7%(367/4776),冲洗组局部复发率为6.4%(240/3732),低于未冲洗组的12.2%(127/1044),合并OR值为0.51(95%CI:0.41～0.69),差异有统计学意义(P<0.01);未确定人数并入冲洗组或未冲洗组,总局部复发率为7.8%(377/4852),冲洗组局部复发率6.6%(250/3 808)或6.4%(240/3 732),低于未冲洗组的12.2%(127/1 044)或12.3%(137/1 111),合并OR值为0.51(95%CI:0.40～0.65)或0.49(95%CI:0.39～0.62),差异有统计学意义(P<0.01)。结论骶前冲洗可降低直肠癌的局部复发率。