机车直流控制线圈所并联的浪涌吸收器引起的迂回串电故障分析

机车通常采用直流控制,我国采用的是直流110V电压等级,为了消除控制回路感性元件产生的过电压,一般在直流控制线圈上并联浪涌吸收器(也称过电压抑制器或过电压吸收片)。目前浪涌吸收器普遍在电空阀、中间继电器、接触器等电器中采用。1几种典型故障分析1.1SS4419机车制动机400D     

SS_(3B)型固定重联机车浪涌吸收器爆裂原因分析及改进方案

本文通过SS3B型固定重联机车浪涌吸收器爆裂原因分析,探讨了相应的改进措施与实施方案,希望借此与大家交流经验,达到共同促进机车质量不断提高的目的。     

车体过电压对动车组轴端速度传感器的影响机理

针对动车组在运行过程中因速度传感器被干扰导致车门无法开启的故障,分析了速度传感器发生电磁干扰的原因,建立和验证了速度传感器的电磁耦合仿真模型,采用仿真模型研究了车体浪涌过电压幅值、信号传输电缆长度及屏蔽层串联电容对速度传感器电磁干扰的影响。研究结果表明,速度传感器的电磁干扰与车体浪涌过电压幅值、信号传输电缆长度和屏蔽层串联电容成正相关,其中车体浪涌过电压幅值的变化对速度传感器产生的电磁干扰影响最大。研究结论为速度传感器的电磁干扰深化研究提供了参考依据。     

国产化速度传感器丢失脉冲导致动车组在线滑行故障分析及改进

针对安装国产化速度传感器的某动车组在线运行中出现的滑行故障,文章通过在线故障数据分析、原因分析及试验,确定了引起BCU报滑行故障的原因是列车过分相时速度传感器存在丢失脉冲导致。通过在速度传感器上施加浪涌电压模拟故障,并对速度传感器电路进行分析及对比验证,提出了有效的改进措施,即取消霍尔芯片前端的分压电阻。经运行考核,改进后的速度传感器在线运行良好,满足在线运行要求。     

光伏并网逆变器IGBT关断浪涌电压抑制与预测保护研究

分析了光伏并网逆变器IGBT关断浪涌电压的产生机理,并对低寄生电感的复合母排设计方法进行了说明,最后给出了IGBT关断浪涌电压吸收电路与浪涌过压预测保护电路的设计方法。实际应用表明,该方法对于降低IGBT的过电压损坏风险起到较好的作用。     

动车组运行中发生非正常紧急制动的机理分析及应对措施

针对动车组运行途中蓄电池亏电、浪涌脉冲干扰、重联继电器烧损、紧急制动环路断开等故障导致紧急制动非正常施加的问题,结合动车组运行条件和制动电路原理从理论上进行了分析,提出了通过加强蓄电池检修、完善应急故障处理、加装电路隔离开关、研制安全环路故障记录装置等改进措施和建议,以确保动车组正常运用安全.     

浅析浪涌保护器的失效形式及对充电机组的影响

本文介绍了浪涌保护器的基本原理,分析了浪涌保护器常见的失效形式及对机车充电机组的影响,提出了相应的失效保护措施。     

6K型电力机车的部分电气设备介绍

6K型电力机车的电气设备绝大部分由日本厂家制造。其中除电机产品和整流柜外,还包括受电弓、真空断路器、主变压器(内装平波电抗器、功率因数补偿用电抗器)、一次侧电压互感器、电空接触器、励磁接触器、司机控制器、牵引制动转换开关、反向器、隔离开关、SD系列电磁继电器和接触器、制动电阻器、电容器、各种电空阀、浪涌吸收器等产品。除车顶电器及主变压器外,其余电器安装在车内的高、低压电器柜内。这些电气产品具有如下共同特点: 1.产品外形美观、整洁、工艺性好,互换性好;     

城轨列车PWM编码器电磁干扰的机理及抑制

针对巴西城轨列车脉冲宽度调制(PWM)编码器的输出端电阻和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOS管)烧损问题,基于其功能和工作原理,采取静电放电、电快速瞬变脉冲群、浪涌冲击3种抗扰度试验排查,确定电磁干扰源;建立PWM编码器的容性耦合模型,分析电磁干扰耦合机理;提出电磁干扰抑制措施,并进行试验验证。结果表明:浪涌冲击电压是导致PWM编码器故障的直接原因,进入车体的瞬态电流为电磁干扰源,是导致PWM编码器故障的根本原因;车体瞬态电流在PWM编码器输出端耦合的浪涌冲击电压有效值为183.95V、冲击次数约20次时,PWM编码器受到电磁干扰后发生故障。试验表明,在保护接地线上串联50mΩ电阻和PWM编码器输出端加装型号为SMCJ24CA的瞬态电压抑制器(TVS管),可显著增强PWM编码器的抗扰性。     

牵引变电所综合自动化系统防浪涌研究

从浪涌对牵引变电所综合自动化的影响,说明了综合自动化系统防浪涌的重要性,重点阐述了牵引变电所综合自动化系统防浪涌分析、防浪涌入侵的解决方案,浪涌保护器的工作原理、采用的关键技术等。     

铁路沿线视频铁塔接闪造成设备故障的分析与优化

为了获得较大的监控范围，铁路沿线及站场的视频监控设备一般架设在30 m铁塔上部。当铁塔接闪雷电后，雷电流会通过感应耦合和地电位反击方式引起视频监控设备故障，并沿线缆侵入设备机房，造成机房内部其他设备损坏。通过研究一起典型的视频监控系统雷害故障，分析了雷电流的侵入途径，给出了视频监控设备和机房内其他设备的损坏原因，并提出了在视频接线箱架设方式、浪涌保护器设置及合理布线等方面的优化建议。     

IGBT逆变器短路保护试验与分析

电力半导体器件故障电流（特别是短路电流）的确认与及时有效保护，对电力机车交流装置的可靠工作 至关重要，介绍了为8K型电力机车车开发的IGBT逆变器的短路电流检测和保护方案，给出了试验结果，分析了试验波形的浪涌和振荡现象。     

提高四线制道岔控制电路防雷能力的研究与设计

针对目前道岔控制电路不设防雷浪涌保护器的现状,以四线制道岔控制电路为例,提出加设浪涌保护器的构想及实施方案,采用失效模式与影响分析方法详细分析加设浪涌保护器对既有控制电路的影响,经过分析,该方案没有安全隐患,能大幅提升既有控制电路的防雷能力。     

IGBT变频器的关断浪涌电压仿真分析及其抑制方法

对IGBT变频器关断浪涌电压产生机理进行分析,介绍采用吸收电路及减小主电路分布电感这两种抑制浪涌电压的方法,并通过实测与仿真进行验证。     

浪涌发生器放电回路的分析

根据电磁兼容试验和雷电冲击试验过程中所使用模拟浪涌发生器的工作原理,结合现行标准中普遍执行的8/20μs和10/700μs试验波形,通过二阶微分方程求解和MATLAB计算仿真,得到不同波形模拟浪涌发生器放电回路的组成及元器件参数,为浪涌试验中出现的问题提供分析方法和解决办法。     

1200 V SiC MOSFET器件的体二极管抗浪涌能力研究

对1 200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力进行了试验测试分析与评估。其中,平面型SiC MOSFET展现出了最优的抗浪涌能力,最大浪涌电流密度峰值达到了35 A/mm~2,而双沟槽型与非对称沟槽型SiC MOSFET的抗浪涌能力大致相等,分别为22 A/mm~2和25 A/mm~2。在经过最大浪涌电流后,3种SiC MOSFET器件的门极阈值电压、漏极电流和击穿电压均发生了失效,其失效原理均为热击穿而导致的三端短路。对比测试结果表明,平面型SiC MOSFET由于较少的栅氧化层缺陷而展现出良好抗浪涌电流能力,而双沟槽型SiC MOSFET由于浪涌应力下的沟道处泄漏电流导致更强的热效应,更容易在浪涌测试中发生失效。     

"浪涌电压"对CMOS集成电路的损害与对策

“浪涌电压”对CMOS集成电路有致命的伤害。为避免浪涌,设计电路时要根据元件布局及布线情况,采用箝位和限流等手段。     

浪涌保护器寿命自监测系统研究

浪涌保护器（SPD）广泛应用于铁路通信信号系统中,可实现对被防护电路瞬时过电压、过电流的钳制和泄放。由于浪涌保护器在使用过程中存在劣化问题,因此开展浪涌保护器寿命自监测系统研究非常必要。该系统由传感器、微控制器、显示和通信等多种功能模块构成,可实现对雷电流和脱扣状态监测,以及CAN通信和NFC通信接口等应用;通过计算劣化核,进而计算寿命值,构建SPD寿命模型;展示了SPD状态显示及报警发布的流程。在SPD中引入雷电流测量机制,基于历次雷电流冲击数据构建的寿命模型,相比于单纯依赖是否脱扣作为寿命判别条件更科学、更准确;相比于使用漏电流进行寿命表征,更具有广泛的适用性。实际应用中的SPD适配了该系统后,可明确感知SPD的状态和寿命值,从而降低劳动强度,提升SPD雷电防护的可靠性。     

降低AC车辆车体浪涌电压的方法

简要阐述AC车辆车体产生浪涌现象的机理和改善AC车辆接地系统的试验结果,讨论了防止极端浪涌电压的理想接地系统。     

基于沟道状态的SiC MOSFET器件浪涌能力研究

得益于技术的进步,SiC MOSFET器件中的体二极管可靠性有极大的提升,并在部分领域和模块中取代了续流二极管。文章基于浪涌电流试验,对不同沟道状态下SiC MOSFET器件浪涌能力进行了深入研究。首先,搭建了浪涌电流试验平台,对CREE和Infineon两家公司的器件进行了浪涌电流试验;然后,测量和对比了试验前后器件的阈值电压、导通电阻、体二极管电压和漏极漏电流等特性的变化;最后,通过超声波扫描显微镜观察了器件失效前后内部结构的变化,并分析了器件的失效原因。试验结果表明,SiC MOSFET器件在浪涌电流冲击下,栅极可靠性和金属层可靠性共同决定了器件的可靠性:一方面,栅极可靠性高的器件,沟道导通有利于降低最高结温,提高浪涌电流下的可靠性;另一方面,栅极可靠性低的器件,沟道的关闭有利于保护栅极。