AN ASYMPTOTIC ANALYSIS METHOD FOR THE LINEAR SHELL

In this paper, using the formal approach of asymptotic expansion for linear elastic shell we can get each term uk successively. According this method the leading term u0 will be identified by an elliptic boundary value problem, other terms will be obtained by the algebraic operations without solving partial differential equations. We give the variational formulation for the leading term U(x) and construct an approximate solution U^KT(x,ξ):= U(x) Ⅱ1Uξ Ⅱ2Uξ,then we give the estimation.     

Simulation of temperature distribution in hot filament chemical vapor deposition diamond films growth on SiC seals

In this study, the temperature and gas velocity distributions in hot filament chemical vapor deposition(HFCVD) diamond film growth on the end surfaces of seals are simulated by the finite volume method. The influence of filament diameter, filament separation and rotational speed of the substrates is considered. Firstly,the simulation model is established by simplifying operating conditions to simulate the temperature and gas velocity distributions. Thereafter, the deposition parameters are optimized as 0.6 mm filament diameter, 18 mm filament separation and 5 r/min rotational speed to get the uniform temperature distribution. Under the influence of the rotational speed, the difference between temperature gradients along the directions perpendicular to the filament and parallel to the filament becomes narrow, it is consistent with the actual condition, and the maximum temperature difference on the substrates decreases to 7.4?C. Furthermore, the effect of the rotational speed on the gas velocity distribution is studied. Finally, diamond films are deposited on the end surfaces of Si C seals with the optimized deposition parameters. The characterizations by scanning electron microscopy(SEM) and Raman spectroscopy exhibit a layer of homogeneous diamond films with fine-faceted crystals and uniform thickness. The results validate the simulation model.     

μC/OS-Ⅱ在ARM处理器上移植过程中的中断处理

讨论了μC/OS-Ⅱ在ARM7上移植过程中中断处理需要注意的几个问题,介绍了通用中断处理的过程和一般方法,并给出了在基于ARM7内核的LPC2000系列芯片上移植μC/OS-Ⅱ部分代码.     

μC/OS-II在ARM处理器上移植过程中的中断处理

讨论了μC/OS-II在ARM7上移植过程中中断处理需要注意的几个问题,介绍了通用中断处理的过程和一般方法,并给出了在基于ARM7内核的LPC2000系列芯片上移植μC/OS-II部分代码。     

城乡公交一体化模式选择分析

通过对城乡公交一体化现有的运作模式进行分类,分析各种模式的优缺点,运用层次分析法构建模式选择的指标体系,得到相应的选择模型,可为城乡公交一体化的规划与实施提供依据和方法.     

磁控反应溅射制备Ta—N薄膜的显微组织与畸变分析

利用直流磁控反应溅射技术制备了Ｔａ－Ｎ薄膜。利用ＴＥＭ、ＸＲＤ研究了薄膜显微组织及结构。研究结果，薄膜晶粒细小，可达到１０ｎｍ；在一定工艺条件下制备的Ｔａ－Ｎ薄膜为多相共存结构；磁控反应溅射制备Ｔａ－Ｎ薄膜，沉积压力对薄膜晶粒的显微畸变影响较大，沉积压力降低，晶粒显微畸变增加，导致薄膜中产生较大的微观应力。     

水上交通事故模式的研究

文中提出采用数据仓库技术搭建水上交通事故(事件)管理、分析信息平台，利用数据挖掘技术自动描述、寻找事故数据背后有价值的的模式和知识．实例给出1995～2000年期间长江水域的船舶事故(事件)历史数据库的构建，通过重特大恶性碰撞事故案例的数据挖掘，量化提取事故特征，并利用广义线性模型对船舶碰桥事故建立概率预测模型，为科学组织管理长江水上交通提供理论依据．     

基于小波变换的高速公路意外事件检测

试验表明,基于一维连续小波变换、一维离散小波变换和二维离散小波变换建立的高速公路意外事件检测模型原型具有优良的检测性能,检测在Califonia8#基础上提高了195%,同时检测时间缩短为原来的3.4%.     

工厂高压供电线路的继电保护

介绍了在工厂高压供电线路中继电保护装置的作用;提出对保护装置的基本要求,对常用的继电保护方式的原理、特点和使用进行探讨.     

顶盖前区前核痛觉调制作用的形态学探讨──HRP束路追踪和免疫细胞化学研究

应用ＨＲＰ束路追踪和免疫细胞化学技术研究了顶盖前区前核（ＡＰｔＮ）和中脑深部网状核（ＤｐＭｅ）之间的纤维联系以及ＡＰｔＮ内几种神经活性物质的分布。将ＨＲＰ注入ＤｐＭｅ后，发现在ＡＰｔＮ内有ＨＲＰ标记的神经元胞体和纤维终末，表明ＡＰｔＶ和ＤｐＭｅ之间存在着双向纤维联系。ＡＰｔＮ内的ＨＲＰ标记细胞呈背、腹两群的极性分布模式。背侧群标记细胞偏向ＡＰｔＮ吻段分布，其中有相当一部分ＨＲＰ标记细胞也是谷氨酸（Ｇｌｕ）阳性细胞，提示ＡＰｔＮ内的这群细胞向ＤｐＭｅ的投射纤维终末以释放Ｇｌｕ为主。ＡＰｔＮ内的ＨＲＰ标记纤维主要位于ＡＰｔＮ尾段的背外侧和腹侧，提示由ＤｐＭｅ到ＡＰｔＮ的传入纤维可能通过ＡＰｔＮ的背外侧和腹侧两条通路进入ＡＰｔＮ。免疫细胞化学染色显示，ＡＰｔＮ含有Ｇｌｕ、亮－脑啡肽（Ｌ－ＥＮＫ）、Ｐ物质（ＳＰ）、酪氨酸羟化酶（ＴＨ）和５－羟色胺（５－ＨＴ）免疫反应阳性胞体和／或纤维，但没有发现加压素（ＶＰ）和β－内啡肽（β－ＥＮＤ）阳性反应结构。上述阳性反应物质在ＡＰｔＮ内各有自己的分布模式，但并不以哪种活性物质为主，提示ＡＰｔＮ功能的多样性和复杂性。