有源驱动有机半导体发光三极管

研制了有源驱动的有机发光显示器件--具有有机静电感应三极管结构的有机电致发光三极管,并测试评价了其基本电气、光学特性.研制的有机电致发光三极管,采用酞氰铜和喹啉铝蒸发膜作为作用层.由测试结果可知,较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子.通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构,获得了高速、高电流密度等良好的三极管工作特性.     

有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性

根据Au／CuPc／Al／CuPc／Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果，分析了该三极管动作特性与器件结构的关系．结果表明，该三极管驱动电压低，呈不饱和电流一电压特性．其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构．合理设计、制作梳状铝电极，可获得良好的三极管静态、动态特性．     

有机半导体超薄膜静电感应三极管动作特性

根据Au/CuPc/Al/CuPc/Au三明治结构的肖特基型栅极有机静电感应三极管的测试结果,分析了该三极管动作特性与器件结构的关系.结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性.其工作特性依赖于栅极电压和梳状铝电极的结构.合理设计、制作梳状铝电极,可获得良好的三极管静态、动态特性.     

有机半导体薄膜三极管的研制

采用有机半导体材料铜酞化氰和肖特基形栅极静电感应三极管结构制作有机薄膜三极管并对其电气特性进行了测试评价，制作的肖特基栅极有机SIT与MOSFET相比惆的动作特性与栅极偏压和梳状栅极的结构有很强的关系。     

有机半导体薄膜三极管的研制

采用有机半导体材料铜酞化氰和肖特基形栅极静电感应三极管结构制作有机薄膜三极管并对其电气特性进行了测试评价.制作的肖特基栅极有机SIT与MOSFET相比导电沟道长大幅缩短,而且通过适当的梳状电极结构设计,获得了良好的动作特性.有机SIT的动作特性与栅极偏压和梳状栅极的结构有很强的关系.     

薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性

试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构,制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为V_(DS)=3V,V_(GS)=0V时,静态动作电流I_(DS)=1.2×10~(-6)A/mm~2,动态小信号响应频率可达到1000Hz。实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性。     

栅极长度变化与有机静电感应三极管工作特性之间关系的数值解析

根据实际制作的有机静电感应三极管(OSIT)建立有机静电感应三极管的物理模型，选取合适的结构参数，采用有限元法计算OSIT内部的电位数值解，依据OSIT导电沟道内的电位分布，分析栅极长度变化对OSIT工作特性的影响。     

栅极长度变化与有机静电感应三极管工作特性之间关系的数值解析

根据实际制作的有机静电感应三极管(OSIT)建立有机静电感应三极管的物理模型,选取合适的结构参数,采用有限元法计算OSIT内部的电位数值解.依据OSIT导电沟道内的电位分布,分析栅极长度变化对OSIT工作特性的影响.     

薄膜铝栅极有机半导体静电感应三极管的试制及动作特性

试制的有机静电感应三极管采用真空蒸镀法和有机色素酞菁铜(CuPc),制成Au/CuPc/Al/CuPc/Au五层结构.制作的薄膜铝栅极有机静电感应三极管,在偏置电压为VDS=3V,VGS=0V时,静态动作电流IDS=1.2×10-6A/mm2,动态小信号响应频率可达到1 000Hz.实验结果表明,与采用MOS结构的CuPc有机薄膜三极管相比,该三极管驱动电压低,呈典型的静电感应三极管不饱和电流-电压特性.     

发光层厚度比对有机电致发光器件性能的影响

将发光层进行多次堆叠构造出有机电致发光器件。实验说明,在总厚度相同而各发光层厚度比不同的条件下,器件呈现不同的发光特性。器件的电致发光光谱存在明显的变化,器件颜色由蓝光到近白光变化显著,器件的亮度和效率也有不同程度的变化。     

8-羟基喹啉铝晶体的制备与表征

报道了制备较高纯度有机电致发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)及其微晶的方法;通过X射线衍射谱(XRD)、红外吸收光谱、荧光光谱及扫描电子显微镜(SEM)测试分析,对Alq3微晶的结构和特性进行了表征。XRD证实了微晶主要成份为α-Alq3,并含有少量δ-Alq3;红外吸收光谱显示,Al-N键的伸缩振动模式对应谱峰407 cm-1,418 cm-1处,Al-O键的伸缩振动模式对应谱峰523 cm-1,542 cm-1,548 cm-1处,说明晶体中N、O分别与Al3+发生了配位,标定了微晶中喹啉环的存在;荧光光谱检测得到Alq3微晶在固态、(氯仿)溶液中的荧光发射谱峰分别位于500 nm、512 nm处;通过SEM观测了Alq3微晶的形貌,分析得到Alq3晶粒呈现六方形结构。     

酞菁铜薄膜有机静电感应三极管动作特性分析

利用有机半导体酞菁铜制作的静电感应三极管(OSIT)进行测试所得的数据，分析了酞菁铜／铝-肖特基势垒的整流特性和静态特性．利用线性插值的方法得到反向偏压下的整流关系式，对OSIT的不饱和静态特性作了进一步的解析，分析了VGS影响OSIT特性的原因．     

有机静电感应三极管（OSIT）静态工作特性的解析

在分析SIT器件电流一电压特性的理论基础上，对由有机半导体材料酞氰铜制作的有机SIT进行了静态特性的测试，通过对测试曲线进行数据拟合与解析，得出一系列OSIT在不同偏压条件下，电流-电压的表达式．数据解析结果表明，有机SIT器件的静态特性同无机SIT器件静态特性的理论分析基本相符。     

激光雷达距离成像精度改进方法

成像激光雷达是一种有源成像系统,使用脉冲激光发射器和面阵接收器产生3D距离图像,具有广范围精度和宽范围门等特性。文中通过静态弥散宽度对图像模糊的影响分析,提出了时间分辨信号分布模型和改进范围精度分析方法。通过激光雷达测距系统试验分析表明,利用该模型得到的最佳静态弥散宽度对距离成像精度有显著影响,能够在白天强背景环境下对室内和室外的10 m和1700 m目标进行距离成像。在室内成像中,当静态弥散宽度为43.4μm时获得的最优测距精度为0.06 m,在室外成像中,获得了测距误差为0.25 m的分米级3D图像。该方法能够有效地提高激光雷达成像距离和成像精度,从而提高交通流测距和测速的精度。     

基于实验结果的有机静电感应三极管动态特性

根据采用有机半导体材料酞菁铜制作的有机静电感应三极管的测试结果，建立适当的动态小信号模型，对其动态特性进行仿真计算，得出器件的截止频率．通过对截止频率的分析，提出改善有机器件动态特性的方法．