山特城堡3C3EX中标江西赛维BEST

近日，伊顿公司旗下品牌山特UPS成功中标江西赛维百世德太阳能高科技有限公司（“百世德”）薄膜太阳能项目IT机房UPS采购项目。百世德太阳能高科技有限公司（“百世德”）于2009年11月16日在江西省南昌市高新区竣工投产，目前是全球最大的大面积高效双结硅基非晶／微晶叠层薄膜太阳能电池项目。百世德的薄膜太阳能项目，广房面积12万平方米，厂房动力安装330MW，一期装机130MW，为目前全球最大规模，     

电解质CeO2基薄膜伏安特性的研究

采用溶胶-凝胶法制备了CeO2基电解质薄膜，测量了CeO2基电解质薄膜的伏安特性，发现在CeO2基电解质薄膜中存在VCNR现象．研究了不同掺杂浓度、不同层数和不同掺杂离子对CeO2基电解质薄膜VCNR特性的影响．     

磁控反应溅射制备Ta—N薄膜的显微组织与畸变分析

利用直流磁控反应溅射技术制备了Ｔａ－Ｎ薄膜。利用ＴＥＭ、ＸＲＤ研究了薄膜显微组织及结构。研究结果，薄膜晶粒细小，可达到１０ｎｍ；在一定工艺条件下制备的Ｔａ－Ｎ薄膜为多相共存结构；磁控反应溅射制备Ｔａ－Ｎ薄膜，沉积压力对薄膜晶粒的显微畸变影响较大，沉积压力降低，晶粒显微畸变增加，导致薄膜中产生较大的微观应力。     

三乙醇胺含量对化学浴法制备硫化铜薄膜的影响

为了研究三乙醇胺(TEA)在化学水域沉积法工艺中的作用,本文以氯化铜, 硫脲, 氨水和三乙醇胺为原料, 采用化学浴沉积法在玻璃基底表面成功制备了硫化铜薄膜. 研究了三乙醇胺不同含量对薄膜的厚度、结构,、形貌和光学性能的影响, 并分析了反应机理. 研究结果表明:三乙醇胺在反应中起到络合剂的作用,随着三乙醇胺含量的增加, 反应诱导时间延长到23 min; 沉积时间相同的情况下,组成薄膜的颗粒粒径变大且薄膜增厚240 nm, 同时透射率呈现出减小的趋势.      

ICP-PECVD法制备类金刚石膜

以CH4为放电气体,利用电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP—PECVD）法制备了类金刚石薄膜,使用FTIR、AFM、台阶仪对薄膜进行了表征,并对薄膜的沉积过程进行了光谱诊断（OES）．研究了射频功率和基底在放电腔体中的位置对薄膜表面粗糙度、沉积速率和硬度的影响．实验结果表明：A位置处薄膜粗糙度随着功率的增加先减小后增大,随着射频功率的升高,薄膜的硬度逐渐增大,沉积速率先增大后减小,而薄膜硬度和沉积速率都随着与线圈中心距离的增加而减小．光谱诊断结果显示,随着功率的升高,Iβ/Iα和CH的强度呈增大趋势．结合上述研究结果,分析了影响薄膜生长的多种因素．     

Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质

在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO_3,薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.     

氟化类金刚石薄膜的沉积及性能研究现状

类金刚石薄膜是 80年代初出现的新型非金属薄膜材料之一 ,其优异的综合性能引起了人们极大的兴趣。本文对类金刚石薄膜的近期进展进行了概括性介绍 ,重点介绍在此基础上发展起来的氟化类金刚石薄膜材料 (FDLC) ,包括氟元素对类金刚石薄膜 (DLC)在结构、性能及在沉积工艺上所带来的的影响等。     

不同注入剂量和能量对氧化钛薄膜结构的影响

为研究离子注入以及真空退火对氧化钛薄膜的结构和性能影响,利用非平衡磁控溅射技术,在单晶硅基体上沉积得到了金红石氧化钛薄膜,在此基础上注入磷离子,并进行真空退火处理.研究结果表明:注入剂量和能量的增加,使得氧化钛薄膜的晶体结构损伤程度加剧;真空退火后,未注入与离子注入的薄膜Ram an峰均出现红移和加宽现象,薄膜能带结构因氧缺位及低价钛而产生的变化,导致薄膜的方块电阻逐渐降低,电阻可降至100~200Ω/cm2.     

离子束增强沉积TiN薄膜的耐蚀性

采用不同离子束入射方向的离子束增强沉积技术（IBED）在W18Cr4V高速钢表面沉积TiN薄膜.利用阳极极化曲线测试技术研究TiN薄膜在0.5mol/L H2SO4和3％ NaCl溶液中的耐蚀性.结果表明：在0.5mol/LH2SO4溶液中,离子束入射角度为45°时的TiN薄膜的阳极极化曲线呈现自钝化,自腐蚀电位Ecorr由原始高速钢的-400 mV增至-71 mV,致钝电流密度ib和维钝电流密度ip分别比原始试样降低4个和2个数量级,耐蚀性能显著提高.在3％ NaCl溶液中,离子束入射角度分别为0°、30°沉积的TiN薄膜的阳极极化曲线均呈现自钝化-点蚀击穿过程,随着入射角度的增加,自腐蚀电位和点蚀击穿电位升高,入射角度为45°时的TiN薄膜不发生点蚀破坏,自腐蚀电位Ecorr由原始高速钢的-600 mV增至-10 mV,具有高的抗点蚀性能.     

结构钢渗扩氮亚温淬火规律的研究

研究了非平衡态原始组织及亚温淬火加热温度对30CrMnSiA结构钢渗扩氮后的显微硬度分布曲线的影响规律，分析了非平衡态原始组织渗扩氮时亚温淬火加热温度对含氮针状双相组织（α γ）分布的影响，测定了渗氮后及亚温扩氮淬火后的相组成，观察了高氮区和低氮区的含氮马氏体形态和亚结构，氮浓度分布曲线与渗扩氮规律相符。     

溶胶－凝胶法制备氧化铝薄膜

以异丙醇铝为原料，研究了溶胶的浓度、粘度及加入电解质的种类，电解质的浓度和焙烧温度等条件对成膜的影响．     

氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究

采用电子束反应蒸发法（REBE）生长钴掺杂的氧化锌（Zn1-xCoO x=0．1）薄膜，研究薄膜的铁磁特性．对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明：薄膜具有室温（300K）铁磁性；Zn1-xCoxO薄膜，无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面，其室温矫顽力均仅为6～7G，呈现典型的稀磁及磁各向同性特征；而对于多晶Zn1-CoxO薄膜，其室温矫顽力在200～370G之间展示出显著的磁化各向异性特征；同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理．     

衬底温度对MgxZn1-xO晶体薄膜表面形貌的影响

采用低温物理沉积技术在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100)生长出了MgxZn1-xO晶体薄膜.用原子力显微镜(AFM)测得不同衬底温度下晶体薄膜的表面平整性,根据测得的数据资料分析衬底温度对薄膜表面粗糙度的影响,发现在250℃时生长得到的MgxZn1-xO薄膜具有最好的平整性,这也和以前生长的MgxZn1-xO薄膜分析结果一致.     

离子注入对CuxS薄膜特性的影响

讨论了薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上．实验发现氮离子束注入引起了薄膜中的铜与硫成分的改变,很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大．     

离子注入对CuxS薄膜特性的影响

讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响，铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上。实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变，很明显的观察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大。     

溶胶凝胶法制备ZAO薄膜

采用Sol-Gel法在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、可导电的A l3 离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构表面平整、致密.通过标准四探针法测定了A l3 离子掺杂的ZnO电阻率,证实了薄膜的导电性.实验发现,当离子掺杂浓度为1.5%,前处理温度为300℃,退火温度为600℃,薄膜的质量最好.     

Sol-Gel提拉法制备ZAO薄膜及其光电性能

采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）浸渍提拉法（基于组装的小型提拉装置）在普通玻璃片上制备出ZnO：Al（ZAO）薄膜,利用扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、数字式四探针测试仪等检测手段分别对其进行了分析比较。结果表明：Al^3＋浓度为1．0％的ZAO薄膜表面最为致密均匀;随着退火温度的提高,薄膜的晶体平均粒径明显增大,电阻率逐渐减小;不同掺Al量的ZAO薄膜在可见光区的平均透光率均在70％以上,当Al^3＋浓度为1．5％时,550℃退火2h,电阻率最小,为5．9×10^-2Ω·cm。     

二次蒸发制备的CuxS薄膜特性研究

在玻璃基底上通过两次蒸发的新技术制备SuxS薄膜，硫在衬底温度为160℃-200℃时与淀积在衬底上的铜直接发生反应，生成CuxS薄膜，实验发现，生成的CuxS薄与衬底温度有很大关系。160℃时生成的CuxS呈黄绿色，而在190℃左右生成的多晶状的CuxS薄膜，颜色为深绿色，通过XRD、SEM、TS等方法样品的组织结构进行了研究和讨论。