Si基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜

采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓Si基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜。用红外透射谱（mR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、选区电子衍射（SAED）和荧光光谱（PL）对样品进行组成、结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明：采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN薄膜。同时显示预沉积的扩镓硅基较预沉积后再分布的扩镓硅基更适合GaN薄膜的生长。     

超声波均匀沉淀法制备Y2O3∶Eu3＋纳米晶及其荧光性能

在超声波作用下,使用均匀沉淀法制备了纳米Y2O3∶Eu3＋荧光粉,考察反应物配比、溶液pH值、反应时间、煅烧温度等制备条件对产物晶粒尺寸及产率的影响.利用X射线粉末衍射（XRD）、等离子体原子发射光谱（ICP-AES）、透射电镜（TEM）和荧光光谱等测试手段表征产物,结果表明,该法制得的纳米Y2O3∶Eu3＋荧光粉颗粒为球形,粒度分布均匀,平均粒径约为30 nm.与微米晶相比,该纳米晶的激发光谱发生明显红移,电荷迁移态最大值（CTS）红移12 nm,发射光谱中发射主峰蓝移8 nm.     

三色拉姆塞数R_3（C_8）研究

用r种颜色对图G的所有边着色,记着第i色的边构成的子图为Gi,如果存在一种着色方法使得每一个Gi（1≤i≤r）都不包含图H,则称图G对于H可以r着色.拉姆塞数Rr（H）是使得完全图Kn对于H不可以r着色的最小正整数n.令Cm表示长度为m的圈,Dzido等证明了R3（C2k）≥4k.本文对k=4的情形进行研究,利用计算机,通过大量的计算证明了R3（C8）=16.     

Fe32Mn3A18Cr反铁磁精密电阻合金Al2O3防护涂层的研究

用溶胶-凝胶法在Fe32Mn3A18Cr反铁磁精密电阻合金表面提拉制备Al2O3耐腐蚀防护涂层。采用X射线衍射分析涂层相结构,扫描电镜观察涂层表面形貌。在Fe32Mn3A18Cr合金表面形成连续、光滑的Al2O3涂层,具有（110）择优取向的γ-Al2O3结构。采用动电位阳极极化法测定涂层的电化学腐蚀性能表明,与原始合金相比较,在1mol／LNa2SO4溶液中,Al2O3涂层的自腐蚀电位提高了571 mV,自腐蚀电流密度降低了1个数量级以上,维钝电流密度降低了近1个数量级;在1％NaCl溶液中,自腐蚀电位与原始合金相当,自腐蚀电流密度降低了2个数量级,腐蚀电位高达2000mV（SCE）时仍未发生孔蚀击穿。而且,Al2O3防护涂层的耐均匀腐蚀和耐孔蚀性能均优于1Cr18Ni9Ti奥氏体钢。     

Fe32Mn3Al8Cr反铁磁精密电阻合金Al_2O_3防护涂层的研究

用溶胶-凝胶法在Fe32Mn3A18Cr反铁磁精密电阻合金表面提拉制备Al2O3耐腐蚀防护涂层。采用X射线衍射分析涂层相结构,扫描电镜观察涂层表面形貌。在Fe32Mn3A18Cr合金表面形成连续、光滑的Al2O3涂层,具有（110）择优取向的γ-Al2O3结构。采用动电位阳极极化法测定涂层的电化学腐蚀性能表明,与原始合金相比较,在1mol／LNa2SO4溶液中,Al2O3涂层的自腐蚀电位提高了571 mV,自腐蚀电流密度降低了1个数量级以上,维钝电流密度降低了近1个数量级;在1％NaCl溶液中,自腐蚀电位与原始合金相当,自腐蚀电流密度降低了2个数量级,腐蚀电位高达2000mV（SCE）时仍未发生孔蚀击穿。而且,Al2O3防护涂层的耐均匀腐蚀和耐孔蚀性能均优于1Cr18Ni9Ti奥氏体钢。     

景婺黄（常）高速公路港口大桥现浇预应力混凝土连续箱梁施工技术

港口大桥位于江西景婺黄（常）高速公路塔岭至景德镇段．桥梁全长188米．桥型上部结构采用6×30米单箱单室直腹板等截面预应力混凝土连续箱梁。梁高2．0米,箱梁顶宽11．74米．底宽6．0米：腹板厚度跨中50厘米．支点80厘米,过渡段长度4米：顶板25厘米等厚,底板厚度跨中28厘米,支点48厘米,     

抗坏血酸对CH2（COOH）2-BrO3^--Mn^2＋-H2SO4体系化学振荡反应的影响

研究了抗坏血酸对CH2（COOH）2-BrO3^--Mn^2＋-H2SO4体系化学振荡反应的影响,考察了该体系中各反应物的初始浓度范围及主要影响因素．结果表明：在5．7×10^-4～8．5×10^-2mol／L的范围内,抗坏血酸对振荡反应的诱导期有较大影响,且抗坏血酸的浓度与振幅及抗坏血酸浓度的对数与诱导期倒数的对数均存在良好线形关系．诱导期和周期的表观活化参数分别为56．63kJ／mol,73．81kJ／mol;同时还对抗坏血酸参与下可能振荡反应机理进行了探讨．