一种CMOS静态D锁存器的版图设计

集成电路版图设计是实现集成电路制造所必不可少的设计环节,本文在正确理解MOS场效应晶体管的物理特性、工作原理以及CMOS逻辑电路结构基础之上,逐级优化实现了由传输门构成的CMOS D锁存器的逻辑电路和晶体管级电路.然后根据CMOS工艺规则,利用Tanner Tool软件进行了CMOS 2μm N阱的D锁存器的版图设计.通过LVS功能验证及延迟时间分析,表明所设计的CMOS D锁存器版图功能正确、性能好、时延小、速度快.     

船舶柴油机主轴承同轴度的CMOS测量方法

给出一种中型以上船舶主机支承孔同轴度的CMOS测量方法。其安装测量基准线采用带单模尾纤的准直半导体激光,轴孔中心位置传感器由CMOS面阵与旋转电感量头组成。实验结果表明,该方法不仅完全可以满足船舶主机支承孔同轴度测量的精度要求,而且具有良好的经济性和灵活性。     

计算机CMOS密码破解方法浅析

CMOS是电脑主板上保存系统配置信息的一块RAM芯片,通过设置CMOS密码以保护电脑不被非法侵入是用户常用的手段,然而因忘记密码无法及时进人计算机系统而影响工作也是一件麻烦的事情,本文就此阐述了几种不同的CMOS密码的破解方法。     

全碳反应烧结碳化硅的制备

研究了用PCRBSC方法制备SiC,观察发现用该方法制备的SiC晶粒中存在层状结构。并且由于没预掺α-SiC,反应烧结速度快于RBSC方法,且生成的SiC均为β相,与RBSC方法相比,生成的SiC晶粒更加细小均匀。     

主断路器非线性电阻改进构想

介绍了主断路器非线性电阻的作用原理及运用现状,从选材和制造工艺等方面对非线性电阻的改进提出了设想,并分析了其优越性。     

陶瓷粒子在船机零件上的运用

通过等离子喷射技术将SiC-AlSi复合涂层涂于船用发电柴油机活塞表面,得到厚度约350μm的涂层。在这基础上,进行了摩擦试验,用光学显微镜、扫描电镜进行了结构观察,用XRD、EDX对涂层进行分析并测量涂层的硬度值,发现SiC任意分布在涂层中,涂层具有多孔性,涂层的硬度和耐磨性取决于气孔、氧化物、半熔化和未熔化颗粒的数量。     

微波集成六端口系统优化设计和校准方法

设计了工作于1．7～2．3GHz的新型CMOS六端口系统．根据多个功率点数据,用曲线插值的方法得到电压与功率的关系．并采用CMOS MIC技术测试反射系数．此六端口系统的各测量端口的最大功率差约为8dB;q点（q4,q5和q6）幅值均大于1,在2GHz处相位分布最佳,相位差为97°,133°和130°．元件公差为10％时,系统的性能无明显变化．与矢量网络仪相对照的实验结果表明在整个工作频段内反射系数最大相位和幅值误差分别为3°和0．7dB．     

3300 V全SiC MOSFET功率器件开关特性研究

为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温、回路杂散电感等方面探寻了开关特性变化的规律;最后,在样机上进行了验证。结果表明,文章中所述优化开关特性的方法对全SiC逆变器的工程应用有一定的指导意义。     

基于SiC MOSFET的牵引逆变器在轨道交通中的应用研究

阐述了SiC器件和Si器件的开关特性和能耗对比;根据轨道交通牵引工况计算比较了SiC器件和Si器件的功率损耗;针对高开关频率应用,进行了包括温升、噪声、损耗、效率等一系列试验验证。试验结果表明,采用SiC MOSFET的牵引逆变器可以有效降低电机的谐波损耗,实现牵引系统节能降耗,并降低中低速段的电机噪声。     

SiCp/AlSi7Mg1复合材料的摩擦和磨损特性

研究了在№２０机油摩擦条件下，采用环状试验块、ＡｌＳｉ７Ｍｇ１、１０ＳｉＣｐ／ＡｌＳｉ７Ｍｇ１和 ２５％ＳｉＣｐ／ＡｌＳｉ７Ｍｇ１的复合材料滑动摩擦行为．试验结果表明，复合材料无论在低载荷或在高载荷时都比没增强基体具有优异的耐磨性能，两种体积率复合材料的磨损速度是其基体的 １／８．应用 ＳＥＭ、 ＥＤＸＡ观察摩擦表面以研究其机理．