直流脉冲磁控溅射制备ITO薄膜及其光电性能

利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备ITO薄膜.通过台阶仪、紫外-可见分光光度计、四探针仪等表征技术,研究了沉积气压、溅射功率,以及Ar/O2流量比等对ITO薄膜沉积速率、光学性能,以及电学性能的影响.研究结果表明,薄膜沉积速率随沉积气压的增大而减小,随功率的增大而增大;方块电阻随气压的增大而增大,随功率的增大而减小;可见光平均透过率主要受O2流量的影响.在沉积气压为0.5Pa,Ar/O2 流量比为20:0,溅射功率为250W,膜厚为200nm时,薄膜的方块电阻为27Ω/□,可见光平均透过率为84.1%.     

ICP-PECVD法制备类金刚石膜

以CH4为放电气体,利用电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-PECVD)法制备了类金刚石薄膜,使用.FTIR、AFM、台阶仪对薄膜进行r表征,并对薄膜的沉积过程进行了光谱诊断(OES).研究了射频功率和基底在放电腔体中的佗置对薄膜表面粗糙度、沉积速率和硬度的影响.实验结果表明:A位置处薄膜粗糙度随着功率的增加先减小后增大,随着射频功率的升高,薄膜的硬度逐渐增大,沉积速率先增大后减小,而薄膜硬度和沉积速率都随着与线圈中心距离的增加而减小.光谱诊断结果显示,随着功率的升高,Iβ/Iα和CH的强度呈增大趋势.结合上述研究结果,分析了影响薄膜生长的多种因素.     

ICP-PECVD法制备类金刚石膜

以CH4为放电气体,利用电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP—PECVD）法制备了类金刚石薄膜,使用FTIR、AFM、台阶仪对薄膜进行了表征,并对薄膜的沉积过程进行了光谱诊断（OES）．研究了射频功率和基底在放电腔体中的位置对薄膜表面粗糙度、沉积速率和硬度的影响．实验结果表明：A位置处薄膜粗糙度随着功率的增加先减小后增大,随着射频功率的升高,薄膜的硬度逐渐增大,沉积速率先增大后减小,而薄膜硬度和沉积速率都随着与线圈中心距离的增加而减小．光谱诊断结果显示,随着功率的升高,Iβ/Iα和CH的强度呈增大趋势．结合上述研究结果,分析了影响薄膜生长的多种因素．     

Ce掺杂的WO_3薄膜的电学性质

在磁控溅射仪上用直流Ce和W共同磁控溅射方法,在载玻片上沉积Ce掺杂的WO_3,薄膜,以研究溅射功率对该薄膜电学性质的影响.薄膜在550℃的空气中退火1 h,用X射线衍射和扫描电子显微镜分析薄膜的显微结构.结果表明:Ce掺杂后薄膜呈岛状结构生长,有利于薄膜沿b轴方向生长;当Ce和W的溅射功率分别为40 W和160 W时,薄膜的非线性系数最大,达到7.92.     

不同注入剂量和能量对氧化钛薄膜结构的影响

为研究离子注入以及真空退火对氧化钛薄膜的结构和性能影响,利用非平衡磁控溅射技术,在单晶硅基体上沉积得到了金红石氧化钛薄膜,在此基础上注入磷离子,并进行真空退火处理.研究结果表明:注入剂量和能量的增加,使得氧化钛薄膜的晶体结构损伤程度加剧;真空退火后,未注入与离子注入的薄膜Ram an峰均出现红移和加宽现象,薄膜能带结构因氧缺位及低价钛而产生的变化,导致薄膜的方块电阻逐渐降低,电阻可降至100~200Ω/cm2.     

磁控溅射掺铝氧化锌薄膜制备及其光电性能分析

通过改进AZO薄膜的制备工艺,提高了AZO薄膜的光学与电学性能、完善了制备工艺,克服了成膜温度较高等不足,成功制备出性能优良的AZO薄膜.通过对新制备的AZO薄膜样品进行XRD和SEM测试,深入分析了影响薄膜结构和电性能的物理因素,获得了最佳制备工艺条件.在室温34℃、溅射功率1 000 W、溅射气压0.052 Pa、溅射时间87 min条件下,溅射产额最高,离子能量最高,可形成性能最优的AZO薄膜结构和形貌.     

大型循环流化床底部区域颗粒浓度波动研究

在内径400 mm、高9 100 mm的大型冷态循环流化床实验装置上利用光导纤维探头研究底部区域颗粒浓度的波动行为,并采用统计方法和功率谱分析了浓度波动.结果表明,正常流化条件下,颗粒浓度标准偏差在径向上随r/R的增大而增大,而随轴向位置的增高而减小;标准偏差随颗粒循环速率的增大而增大,而随表观气速的增大而减小.分析颗粒浓度波动的功率谱发现,主频不明显,0～10 Hz范围内振幅较大.实验结果为循环流化床装置的设计、数值模拟和工程放大提供了一定依据.     

退火温度对化学水浴沉积CdS薄膜性能的影响

采用化学水浴沉积法(CBD)制备了CdS薄膜,用扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、分光光度计进行检测.研究了退火温度对CdS薄膜表面形貌、成分、晶体结构和光学性能的影响.研究表明,CdS薄膜为微晶或是非晶态,S/Cd原子比在0.8左右,可见光透过率较高;随着退火温度的升高,薄膜结晶明显,但是透光率下降,禁带宽度范围在2.42～2.59eV之间.     

叶顶间隙对喷水推进水力性能的影响

分别以设计参数相同的混流式喷水推进泵与轴流式喷水推进泵为对象, 基于剪切应力运输湍流模型、隐式多网格耦合算法与全结构化网格, 对4种不同叶顶间隙的水力性能进行数值模拟, 分析了叶顶间隙对喷水推进水力性能的影响, 研究了叶顶间隙影响程度与喷水推进器类型的关系。研究结果表明: 2种喷水推进泵的扬程、效率均随叶顶间隙增大而减小; 随着叶顶间隙的增大, 混流泵消耗功率先增大后减小, 当叶顶间隙为1.3mm时消耗功率最大, 而轴流泵消耗功率单调减小; 混流泵叶顶间隙变化引起的喷泵效率改变量不受流量影响, 而轴流泵效率变化量随流量增大而增大, 以较大叶顶间隙为基准, 且叶顶间隙变化量相同时, 混流泵效率变化较大, 轴流泵效率变化较小; 混流泵与轴流泵性能存在差异的主要原因是外形结构不同导致间隙涡对叶顶间隙泄流的作用大小不同; 当叶顶间隙由0.7mm增大至1.6mm时, 2种喷水推进器推力效率变化量在1%以内; 随着叶顶间隙的增大, 2种喷水推进器消耗功率的变化趋势与喷水推进泵相同, 且轴流式喷水推进器总推力、功率变化幅值大于混流式, 即混流式喷水推进器对叶顶间隙变化的适应性更好。      

积分尺度对矩形迎风面脉动风压特性的影响

为了研究来流紊流积分尺度对矩形断面高层建筑迎风面脉动风压及其分布特性的影响，选取2∶1和1∶2矩形为对象，通过风洞测压试验，对不同积分尺度紊流场中矩形迎风面的平均风压系数及脉动风压均方根系数、脉动风压相关函数和相干函数、脉动风压功率谱进行了对比分析. 研究结果表明:对于矩形同一高度处，脉动风压功率谱在低频区始终受准定常效应控制，而在高频区脉动风压功率谱随积分尺度的增大而增大；风压的相关性高于风的相关性，风压的相关函数与相干函数也随积分尺度的增大而增大，但相关宽度随积分尺度的增大而减小；脉动风压均方根系数随积分尺度的增大而增大；对于同一流场中矩形不同测点处，离驻点越远，风压相关函数和相干函数越小，脉动风压均方根系数越大；来流紊流积分尺度对平均风压系数的影响较小.      

有机衬底上射频磁控溅射制备ITO薄膜的研究

Introduction Indium tin oxide (ITO) film has been widely used as a transparent conductor due to its high transparency to visible light and its low electrical resistivity. ITO film can be prepared by many techniques, including thermal evaporation deposition, magnetron sputtering, electron beam evaporation, spray pyrolysis,chemical vapour deposition,dip-coating techniques,and later developed pulsed laser deposition method.     

酞菁铜薄膜制备及其光学性能

采用真空蒸发的方法在ITO玻璃上制备了CuPc薄膜,并用分光光度计（U-3310）测试了四种不同厚度的CuPc薄膜的透射/吸收/反射率随波长变化情况,重点分析了其中的吸收规律.结果显示波段在340~370 nm和570~720 nm光吸收率基本上在90%左右,在480 nm吸收率最低,大部分光都已透射.同时用扫描电子显微镜对薄膜进行了成分分析,对照能谱图可以看出样品中含有碳、氧、铜等元素,与酞菁铜薄膜元素组成成分相符.     

Effect of oxygen content on structural and optical properties of single Cu2O film by reactive magnetron sputtering method

Cuprous oxide (Cu₂O) thin films have been deposited on glass substrate by reactive magnetron sputtering method using Cu target and argon oxygen gas atmosphere. Effect of oxygen flow rate on structural and optical properties of thin films has been discussed. The results of X-ray diffraction, ultraviolet-visible spectrophotometry and atomic force micrograph indicated that the condition window for single Cu₂O phase was about 3.8 to 4.4 cm³/min, and the optimum oxygen flow rate was 4.2 cm³/min. The optical band gap E _g of Cu₂O film was determined by using the data of transmittance versus wavelength, and slightly decreased from 2.46 to 2.40 eV with the increase of oxygen flow rate from 3.8 to 4.4 cm³/min. The Cu₂O film formed at the oxygen flow rate of 4.2 cm³/min had an optical band gap of 2.43 eV.     

三乙醇胺含量对化学浴法制备硫化铜薄膜的影响

为了研究三乙醇胺(TEA)在化学水域沉积法工艺中的作用,本文以氯化铜, 硫脲, 氨水和三乙醇胺为原料, 采用化学浴沉积法在玻璃基底表面成功制备了硫化铜薄膜. 研究了三乙醇胺不同含量对薄膜的厚度、结构,、形貌和光学性能的影响, 并分析了反应机理. 研究结果表明:三乙醇胺在反应中起到络合剂的作用,随着三乙醇胺含量的增加, 反应诱导时间延长到23 min; 沉积时间相同的情况下,组成薄膜的颗粒粒径变大且薄膜增厚240 nm, 同时透射率呈现出减小的趋势.      

多次纺丝与退火对 ITO 薄膜表面均匀性的影响

通过多次纺丝与退火工艺在普通玻璃载玻片上制备ITO透明导电薄膜，研究了退火工艺对薄膜表面形貌的影响。结果表明：退火不仅提高了ITO颗粒的洁净程度，同时减小了其在薄膜表面的粒径分布。多次纺丝与退火可以提高ITO颗粒的覆盖密度，得到致密性比较好、表面缺陷比较少、表面粗糙度比较小、均匀平整的透明导电薄膜。     

Effect of LaNiO3 Interlayer on the Dielectric Properties of Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Film on Si Substrate

In this study, (100)-oriented growth of Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) /LaNiO3 (LNO) stacks was obtained on Pt(lll)/SiO2/Si substrates by r.f. magnetron sputtering. The orientation of the subsequently deposited Ba0.5Sr0.5TiO3 thin film was strongly affected by the LNO under layer, and the BST thin film deposited on the (100)LNO-coated Si substrate was also found to have a significant (100)-oriented texture. Effects of LNO interlayer on the dielectric properties of BST thin films were investigated. As a result, the tunability of BST thin film was greatly improved with the insertion of (100)-oriented LNO under layer with proper thickness.     

Nc-Si Thin Film Deposited at Low Temperature and Nc-Si Heterojunction Solar Cel

IntroductionMuchworkhasbeendonetostudythestruc-tureandpropertiesofthehydrogenatednano-crystallinesilicon(nc-Si∶H)thinfilmsinthepastfewyears[1～3].Ithasbeenreportedthatthesefilmshavemanygoodopticalandelectricalproper-ties[4～6].Severaldepositiontechniqueshavebeenestablishedtopreparenc-Si∶Hthinfilms,includ-ingplasmaenhancedchemicalvapordeposition(PECVD),hotwirechemicalvapordeposition(HWCVD)[7,8]andreactivemagnetronsputter-ing[9]withthesubstratetemperaturevaryingfrom150to250°C.Comparedwi…     

Effect of LaNiO3 interlayer on the dielectric properties of Ba0.5Sr0.5TiO3 thin film on Si substrate

In this study, (100)-oriented growth of Ba_0.5Sr_0.5TiO₃ (BST) /LaNiO₃ (LNO) stacks was obtained on Pt(111)/SiO₂/Si substrates by r.f. magnetron sputtering. The orientation of the subsequently deposited Ba_0.5Sr_0.5TiO₃ thin film was strongly affected by the LNO under layer, and the BST thin film deposited on the (100)LNO-coated Si substrate was also found to have a significant (100)-oriented texture. Effects of LNO interlayer on the dielectric properties of BST thin films were investigated. As a result, the tunability of BST thin film was greatly improved with the insertion of (100)-oriented LNO under layer with proper thickness. Foundation item: the National Key Lab of Nano/Micro Fabrication Technology (No. 9140C 790310060C79) and the National Natural Science Foundation of China (No. 60701012)